| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-62页 |
| ·前言 | 第15-16页 |
| ·外延与电沉积 | 第16-22页 |
| ·外延的种类 | 第16-20页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第16-17页 |
| ·金属有机化学气相沉积(MOCVD) | 第17-18页 |
| ·化学束外延(CBE) | 第18-19页 |
| ·原子层外延(ALE) | 第19-20页 |
| ·外延方法的特点 | 第20页 |
| ·电沉积 | 第20-22页 |
| ·电沉积的特点 | 第20-21页 |
| ·共沉积(Codeposition) | 第21页 |
| ·沉淀法(Precipitation) | 第21页 |
| ·两步法(Two-stage methods) | 第21-22页 |
| ·电化学原子层沉积法(EC-ALD) | 第22-26页 |
| ·欠电位沉积(UPD) | 第22-24页 |
| ·UPD的特征 | 第24页 |
| ·EC-ALD技术简介 | 第24-25页 |
| ·EC-ALD的特点 | 第25-26页 |
| ·EC-ALD循环程序的构成要素 | 第26-33页 |
| ·基底 | 第26-27页 |
| ·前驱体 | 第27-29页 |
| ·电位-pH图 | 第27-28页 |
| ·还原UPD和氧化UPD | 第28-29页 |
| ·溶液(反应物、电解质、pH值、添加剂等) | 第29-31页 |
| ·反应物 | 第30页 |
| ·电解质 | 第30页 |
| ·pH值 | 第30页 |
| ·添加剂 | 第30-31页 |
| ·清洗 | 第31页 |
| ·电位设置 | 第31-32页 |
| ·循环时间 | 第32-33页 |
| ·EC-ALD制备功能薄膜的检测与光谱分析 | 第33-39页 |
| ·基本表征手段 | 第33-38页 |
| ·X-射线衍射(XRD) | 第33-34页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第34-35页 |
| ·俄歇电子能谱(AES) | 第35-36页 |
| ·电子探针微分析(EPMA) | 第36-37页 |
| ·能量色散X射线荧光光谱分析(EDX) | 第37-38页 |
| ·电化学检测方法 | 第38页 |
| ·表面形貌检测手段 | 第38页 |
| ·光电化学表征 | 第38-39页 |
| ·计算能带 | 第38-39页 |
| ·开路电位研究 | 第39页 |
| ·EC-ALD的研究现状以及在新材料中的应用进展 | 第39-45页 |
| ·研究现状 | 第39-41页 |
| ·基底的改进 | 第41-43页 |
| ·方法的改良 | 第43页 |
| ·开路反应和EC-ALD结合 | 第43页 |
| ·无电沉积和EC-ALD结合 | 第43页 |
| ·功能的拓展 | 第43-45页 |
| ·本论文的选题思路和研究目的 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-62页 |
| 第二章 利用EC-ALD在Au基底上沉积ZnSe的优化研究及表征 | 第62-78页 |
| ·前言 | 第62-63页 |
| ·实验部分 | 第63-64页 |
| ·结果与讨论 | 第64-73页 |
| ·Se原子层的形成 | 第64-66页 |
| ·Zn原子层的形成 | 第66页 |
| ·ZnSe的形成机理 | 第66-69页 |
| ·EC-ALE循环的优化 | 第69-70页 |
| ·ZnSe薄膜的表征 | 第70-73页 |
| ·本章小结 | 第73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 第三章 利用EC-ALD技术在Au基底上制备Cu_2Se纳米薄膜 | 第78-92页 |
| ·前言 | 第78-79页 |
| ·实验部分 | 第79页 |
| ·结果与讨论 | 第79-84页 |
| ·Se在Au上的电化学特性 | 第79-80页 |
| ·Cu在Au-Se表面上的电化学特性 | 第80-81页 |
| ·Cu_2Se的沉积和表征 | 第81-84页 |
| ·Cu_2Se薄膜的表征 | 第84页 |
| ·结论 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-92页 |
| 第四章 利用EC-ALD在ITO导电玻璃上制备CuTe和Cu_2Te纳米薄膜及表征 | 第92-101页 |
| ·前言 | 第92页 |
| ·实验部分 | 第92-93页 |
| ·结果与讨论 | 第93-98页 |
| ·薄膜的沉积制备 | 第93-96页 |
| ·CuTe薄膜的沉积制备 | 第93-95页 |
| ·Cu_2Te薄膜的沉积 | 第95-96页 |
| ·薄膜的表征 | 第96-98页 |
| ·X射线衍射研究 | 第96-97页 |
| ·SEM观测结果 | 第97-98页 |
| ·光电性质的检测 | 第98页 |
| ·本章小结 | 第98页 |
| 致谢 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-101页 |
| 第五章 通过EC-ALD法在Ag基底上制备四元Cu_2ZnSnS_4薄膜及其表征应用 | 第101-114页 |
| ·前言 | 第101-102页 |
| ·实验部分 | 第102页 |
| ·结果与讨论 | 第102-110页 |
| ·EC-ALD的沉积程序 | 第102-105页 |
| ·组成测定 | 第105-107页 |
| ·形貌观测 | 第107-108页 |
| ·光电化学表征 | 第108-110页 |
| ·本章小结 | 第110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-114页 |
| 第六章 通过无电沉积和EC-ALD相结合的方法在P-Si上制备Cu_2Se薄膜 | 第114-123页 |
| ·前言 | 第114页 |
| ·实验部分 | 第114-115页 |
| ·结果与讨论 | 第115-120页 |
| ·膜的制备 | 第115-117页 |
| ·膜的表征 | 第117-120页 |
| ·XRD分析 | 第117-118页 |
| ·SEM观测 | 第118页 |
| ·光电性质 | 第118-120页 |
| ·本章小结 | 第120页 |
| 致谢 | 第120-121页 |
| 参考文献 | 第121-123页 |
| 第七章 Pt纳米粒子在碳纳米管复合的聚酰亚胺材料上的电沉积及其电催化应用 | 第123-131页 |
| ·前言 | 第123页 |
| ·实验部分 | 第123-126页 |
| ·化学药品 | 第123页 |
| ·实验装置 | 第123-124页 |
| ·电极的制备 | 第124-126页 |
| ·结果与讨论 | 第126-128页 |
| ·Pt/PI/CNTs的表征 | 第126-127页 |
| ·Pt/PI/CNTs的电催化性能 | 第127-128页 |
| ·本章小结 | 第128页 |
| 致谢 | 第128-129页 |
| 参考文献 | 第129-131页 |
| 致谢 | 第131-132页 |
| 附录 | 第132-133页 |
