| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-16页 |
| ·研究动机 | 第12-13页 |
| ·研究目标 | 第13-14页 |
| ·本论文的主要贡献 | 第14-15页 |
| ·本论文的结构 | 第15-16页 |
| 第二章 碳纳米管及相关器件 | 第16-42页 |
| ·碳纳米管的结构 | 第16-18页 |
| ·手性矢量 | 第16-17页 |
| ·平移矢量 | 第17-18页 |
| ·单壁碳纳米管的电子结构 | 第18-23页 |
| ·碳纳米管的观测 | 第23-24页 |
| ·碳纳米管场效应管的发展 | 第24-30页 |
| ·碳纳米管和金属电极接触 | 第25页 |
| ·栅极结构和绝缘层 | 第25-26页 |
| ·碳纳米管场效应管的开关机制 | 第26-27页 |
| ·碳纳米管场效应管的导电类型 | 第27-30页 |
| ·SWNT-FET的应用及问题 | 第30页 |
| ·单壁碳纳米管的拉曼光谱 | 第30-42页 |
| ·共振和非共振拉曼散射 | 第30-32页 |
| ·SWNT拉曼峰分类 | 第32-33页 |
| ·径向呼吸模(RBM) | 第33-34页 |
| ·用RBM确定碳管手性 | 第34-37页 |
| ·高能模(HEM)和G模 | 第37-39页 |
| ·D模和2D模(G’模) | 第39页 |
| ·天线效应 | 第39-42页 |
| 第三章 碳纳米管场效应晶体管的制备和表征 | 第42-48页 |
| ·CNT-FETs的制备 | 第42-45页 |
| ·碳纳米管悬浮液的配制 | 第42页 |
| ·衬底和电极的制备 | 第42-43页 |
| ·交流介电泳技术 | 第43-44页 |
| ·碳纳米管的电烧断过程(burn-off process) | 第44-45页 |
| ·器件表征 | 第45-48页 |
| ·SEM和AFM表征 | 第45-46页 |
| ·电学测量 | 第46-48页 |
| 第四章 碳纳米管中的内建张应力 | 第48-58页 |
| ·应力对SWNT拉曼光谱的影响 | 第48-49页 |
| ·超长SWNT中的反常拉曼光谱 | 第49-51页 |
| ·反常拉曼光谱与SWNT内建应变的关系 | 第51-53页 |
| ·红外激光退火导致的应力释放 | 第53-55页 |
| ·应变与拉曼平移的关系和应力随碳管直径的变化 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 单壁碳纳米管在电荷注入下的拉曼光谱研究 | 第58-70页 |
| ·SWNT和单层石墨烯在电荷注入下的拉曼光谱 | 第58-61页 |
| ·金属和半导体性碳管对栅压的不同响应 | 第61-65页 |
| ·载流子浓度和拉曼位移的对应关系 | 第65-66页 |
| ·偏压导致的热声子产生 | 第66-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 第六章 碳纳米管场效应管中的单电子/空穴输运 | 第70-90页 |
| ·单电子晶体管简介 | 第70-75页 |
| ·碳纳米管中的单电子输运 | 第75-76页 |
| ·金纳米晶粒修饰的SWNT-FET的库仑阻塞效应 | 第76-82页 |
| ·单壁碳纳米管中线形碳链(C_n@SWNTs)的电学性质 | 第82-87页 |
| ·本章小结 | 第87-90页 |
| 第七章 短沟道SWNT-FETs及n型FETs的制备 | 第90-106页 |
| ·纳米间距电极的制备 | 第90-94页 |
| ·简介 | 第90页 |
| ·纳米间距电极制备 | 第90-93页 |
| ·纳米间距电极阵列制备和碳纳米管的集成 | 第93-94页 |
| ·n型SWNT-FET的制备 | 第94-101页 |
| ·简介 | 第94-95页 |
| ·n型SWNT-FET制备 | 第95-97页 |
| ·长沟道n型SWNT-FETs的制备 | 第97-101页 |
| ·SWNT薄膜FETs的制备 | 第101-104页 |
| ·单层SWNTs薄膜的制备 | 第101-102页 |
| ·单层SWNTs薄膜FETs | 第102-104页 |
| ·本章小结 | 第104-106页 |
| 第八章 总结与展望 | 第106-108页 |
| ·研究总结 | 第106-107页 |
| ·研究展望 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-130页 |
| 博士期间发表的论文 | 第130-134页 |
| 致谢 | 第134页 |
