| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 研究目的和意义 | 第10-11页 |
| 1.3 研究现状 | 第11-15页 |
| 1.4 研究内容及主要工作 | 第15-16页 |
| 1.5 论文结构 | 第16-17页 |
| 第二章 光子与物质相互作用 | 第17-23页 |
| 2.1 直穿光子 | 第17页 |
| 2.2 一次散射光子 | 第17-20页 |
| 2.2.1 相干散射 | 第18页 |
| 2.2.2 光电效应 | 第18-19页 |
| 2.2.3 康普顿散射 | 第19页 |
| 2.2.4 电子对效应 | 第19-20页 |
| 2.3 多次散射及电子产生辐射 | 第20-21页 |
| 2.3.1 特征X射线 | 第20页 |
| 2.3.2 韧致辐射 | 第20-21页 |
| 2.3.3 正电子湮灭 | 第21页 |
| 2.3.4 契仑柯夫辐射 | 第21页 |
| 2.4 光子输运方程 | 第21-22页 |
| 2.5 辐射剂量场分布的蒙特卡罗计算方法 | 第22页 |
| 2.6 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 点核积分与积累因子介绍 | 第23-28页 |
| 3.1 点核积分 | 第23-24页 |
| 3.2 积累因子 | 第24-27页 |
| 3.2.1 积累因子拟合的泰勒公式 | 第24页 |
| 3.2.2 积累因子拟合的G-P公式 | 第24页 |
| 3.2.3 积累因子的多层公式 | 第24-27页 |
| 3.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 第四章 点核积分中光源出射张角对积累因子的影响研究 | 第28-40页 |
| 4.1 积累因子在张角变化下研究意义 | 第28页 |
| 4.2 研究模型以及必要数据 | 第28-29页 |
| 4.3 不同能量光源张角变化下的积累因子结果 | 第29-39页 |
| 4.3.1 500keV光源 | 第29-32页 |
| 4.3.2 1MeV光源 | 第32-35页 |
| 4.3.3 10MeV光源 | 第35-38页 |
| 4.3.4 结果分析 | 第38-39页 |
| 4.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第五章 点核积分中多层介质的积累因子研究 | 第40-50页 |
| 5.1 积累因子在标准多层介质情况下的计算公式 | 第40页 |
| 5.2 积累因子在非标准多层介质情况下的研究意义 | 第40页 |
| 5.3 光子斜入射无穷大平面界面下积累因子研究 | 第40-45页 |
| 5.3.1 2层介质 | 第40-43页 |
| 5.3.2 3层介质 | 第43-45页 |
| 5.3.3 结果分析 | 第45页 |
| 5.4 光子入射非平面界面下的积累因子研究 | 第45-48页 |
| 5.4.1 球界面和圆柱界面 | 第45-48页 |
| 5.4.2 结果分析 | 第48页 |
| 5.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 第六章 点核积分程序设计及模型计算 | 第50-63页 |
| 6.1 程序框架设计 | 第50-51页 |
| 6.2 计算事例一 | 第51-56页 |
| 6.2.1 模拟设计 | 第51页 |
| 6.2.2 计算结果 | 第51-56页 |
| 6.2.3 计算结果分析 | 第56页 |
| 6.3 HIC废物桶事例 | 第56-62页 |
| 6.3.1 HIC桶 | 第56-57页 |
| 6.3.2 模拟设计 | 第57-58页 |
| 6.3.3 计算结果误差预测 | 第58-59页 |
| 6.3.4 计算结果 | 第59-61页 |
| 6.3.5 结果分析 | 第61-62页 |
| 6.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第七章 结束语 | 第63-65页 |
| 7.1 论文工作总结 | 第63页 |
| 7.2 问题与展望 | 第63-65页 |
| 7.2.1 积累因子数据的补充 | 第63-64页 |
| 7.2.2 几何处理降低误差 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 附录A | 第69-70页 |
| 附录B | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |