| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 研究背景 | 第8页 |
| 1.2 自旋电子学简介 | 第8-9页 |
| 1.3 材料中的缺陷 | 第9-10页 |
| 1.3.1 点缺陷的种类 | 第10页 |
| 1.3.2 点缺陷对晶体材料的影响 | 第10页 |
| 1.4 论文的章节安排 | 第10-12页 |
| 第2章 理论研究方法与计算软件 | 第12-24页 |
| 2.1 第一性原理 | 第12-13页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第13-17页 |
| 2.2.1 量子多体问题 | 第13-14页 |
| 2.2.2 波恩-奥本海默(Born-Oppenheimer)绝热近似 | 第14页 |
| 2.2.3 哈特里-福克(Hartree-Fock)自洽场近似 | 第14-15页 |
| 2.2.4 Hohenberg-Kohn定理 | 第15页 |
| 2.2.5 Kohn-Sham方程 | 第15-16页 |
| 2.2.6 交换相关泛函 | 第16-17页 |
| 2.3 赝势平面波方法 | 第17-18页 |
| 2.4 能带理论 | 第18页 |
| 2.4.1 能带结构 | 第18页 |
| 2.4.2 态密度 | 第18页 |
| 2.5 本文计算软件包简介 | 第18-21页 |
| 2.5.1 VESTA软件 | 第19页 |
| 2.5.2 Origin软件 | 第19-20页 |
| 2.5.3 VASP软件 | 第20-21页 |
| 2.6 硬件支撑 | 第21-23页 |
| 2.7 本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 Co、Ni掺杂h-BN单层电子和磁性性质研究 | 第24-36页 |
| 3.1 研究内容及计算方法 | 第24-25页 |
| 3.2 未掺杂h-BN单层的电子和磁性性质 | 第25-27页 |
| 3.3 掺杂h-BN单层的电子和磁性性质 | 第27-35页 |
| 3.3.1 Co原子掺杂h-BN单层的电子和磁性性质 | 第27-32页 |
| 3.3.2 Ni原子掺杂h-BN单层的电子和磁性性质 | 第32-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第4章 Cr、Mn掺杂h-AlN单层电子和磁性性质研究 | 第36-46页 |
| 4.1 研究内容及计算方法 | 第36-37页 |
| 4.2 未掺杂h-AlN单层的电子和磁性性质 | 第37-38页 |
| 4.3 掺杂h-AlN单层的电子和磁性性质 | 第38-44页 |
| 4.3.1 Cr原子掺杂h-AlN单层的电子和磁性性质 | 第39-41页 |
| 4.3.2 Mn原子掺杂h-AlN单层的电子和磁性性质 | 第41-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 结论 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-51页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的论文 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53页 |
