| 摘要 | 第10-12页 |
| Abstract | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第14-38页 |
| §1.1 引言 | 第14页 |
| §1.2 薄膜晶体管的研究和发展 | 第14-17页 |
| §1.3 薄膜晶体管的应用 | 第17-20页 |
| §1.4 氧化物薄膜晶体管的材料、结构、工作原理和器件参数 | 第20-35页 |
| §1.4.1 氧化物半导体材料的性质 | 第20-23页 |
| §1.4.2 ZnO基氧化物半导体中的杂质掺杂 | 第23-28页 |
| §1.4.3 氧化物薄膜晶体管的基本结构 | 第28页 |
| §1.4.4 氧化物薄膜晶体管的工作原理 | 第28-30页 |
| §1.4.5 氧化物薄膜晶体管的主要参数 | 第30-35页 |
| §1.5 氧化物薄膜晶体管存在的科学问题 | 第35-36页 |
| §1.6 本论文研究内容及研究意义 | 第36-38页 |
| 第二章 合理设计双沟道层ZnO:H/ZnO结构的高性能薄膜晶体管 | 第38-58页 |
| §2.1 研究背景 | 第38-39页 |
| §2.2 双沟道层ZnO:H/ZnO薄膜器件的制备和表征 | 第39-41页 |
| §2.2.1 双沟道层ZnO:H/ZnO薄膜器件的制备 | 第39-40页 |
| §2.2.2 双沟道层ZnO:H/ZnO薄膜器件的表征 | 第40-41页 |
| §2.3 双沟道层ZnO:H/ZnO薄膜器件的电学特性 | 第41-49页 |
| §2.4 双沟道层ZnO:H/ZnO薄膜器件的偏压稳定性 | 第49-52页 |
| §2.5 纯ZnO和ZnO:H薄膜的XPS表征 | 第52-54页 |
| §2.6 双沟道层ZnO:H/ZnO薄膜器件的载流子输运机制 | 第54-57页 |
| §2.7 本章小结 | 第57-58页 |
| 第三章 通过插入超薄层a-IGZO:H改善a-IGZO薄膜晶体管的电学性能 | 第58-74页 |
| §3.1 研究背景 | 第58-59页 |
| §3.2 双沟道层a-IGZO:H/IGZO器件的制备和表征 | 第59-61页 |
| §3.2.1 双沟道层a-IGZO:H/IGZO器件的制备 | 第59-60页 |
| §3.2.2 双沟道层a-IGZO:H/IGZO器件的表征 | 第60-61页 |
| §3.3 双沟道层a-IGZO:H/IGZO器件的电学特性 | 第61-65页 |
| §3.4 双沟道层a-IGZO:H/IGZO薄膜器件的能带结构分析 | 第65-67页 |
| §3.5 双沟道层a-IGZO:H/IGZO器件的偏压稳定性 | 第67-70页 |
| §3.6 双沟道层a-IGZO:H/IGZO器件的低频噪声研究 | 第70-73页 |
| §3.7 本章小结 | 第73-74页 |
| 第四章 氮和氢共掺杂对InGaZnO薄膜晶体管电学性能和可靠性的影响 | 第74-92页 |
| §4.1 研究背景 | 第74-75页 |
| §4.2 纯a-IGZO和a-IGZO:N/H薄膜器件的制备和表征 | 第75-77页 |
| §4.2.1 纯a-IGZO和a-IGZO:N/H薄膜器件的制备 | 第75-76页 |
| §4.2.2 纯a-IGZO和a-IGZO:N/H薄膜器件的表征 | 第76-77页 |
| §4.3 纯a-IGZO和a-IGZO:N/H薄膜器件的电学特性 | 第77-84页 |
| §4.4 纯a-IGZO和a-IGZO:N/H薄膜器件的偏压稳定性 | 第84-86页 |
| §4.5 纯a-IGZO和a-IGZO:N/H薄膜的XPS表征 | 第86-88页 |
| §4.6 纯a-IGZO和a-IGZO:N/H薄膜器件的低频噪声表征 | 第88-91页 |
| §4.7 本章小结 | 第91-92页 |
| 第五章 总结与展望 | 第92-95页 |
| §5.1 主要结论 | 第92-94页 |
| §5.2 未来工作展望 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-104页 |
| 攻读博士期间主要研究成果 | 第104-105页 |
| 致谢 | 第105页 |
