| 摘要 | 第8-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 太阳选择性吸收表面膜层的原理 | 第11-14页 |
| 1.2.1 材料本征性 | 第12页 |
| 1.2.2 半导体金属表面 | 第12页 |
| 1.2.3 介质-金属-介质表面 | 第12页 |
| 1.2.4 微不平表面 | 第12-13页 |
| 1.2.5 选择性透射—黑体表面 | 第13页 |
| 1.2.6 金属-介质复合材料表面 | 第13页 |
| 1.2.7 干涉—吸收型表面 | 第13-14页 |
| 1.3 太阳选择性吸收膜层的制备方法 | 第14-16页 |
| 1.3.1 电化学沉积法 | 第14页 |
| 1.3.2 化学转换着色法 | 第14页 |
| 1.3.3 溶胶凝胶法 | 第14页 |
| 1.3.4 高频磁控溅射法 | 第14-15页 |
| 1.3.5 真空蒸发沉积法 | 第15页 |
| 1.3.6 等离子喷涂法 | 第15-16页 |
| 1.4 反应溅射制备AlN薄膜现状分析 | 第16-17页 |
| 1.5 稳定反应溅射AlN目的及意义 | 第17-18页 |
| 1.6 磁控溅射法制备太阳选择性吸收膜层的参数 | 第18-21页 |
| 1.6.1 电压和功率 | 第18页 |
| 1.6.2 气体环境 | 第18-19页 |
| 1.6.3 气体压强 | 第19页 |
| 1.6.4 磁场 | 第19页 |
| 1.6.5 气体 | 第19-20页 |
| 1.6.6 太阳能选择性吸收膜层组成 | 第20-21页 |
| 1.7 本课题研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 实验设备和测试方法 | 第22-25页 |
| 2.1 实验设备和测试仪器说明 | 第22-25页 |
| 2.1.1 镀膜设备CSZ-850Z三靶镀膜机 | 第22-23页 |
| 2.1.2 光谱测试设备分光光度计 | 第23页 |
| 2.1.3 德国Optosol检测仪(简称快速测量仪) | 第23页 |
| 2.1.4 多光束干涉测厚仪 | 第23-24页 |
| 2.1.5 Hitach S—4800场发射扫描电镜 | 第24-25页 |
| 第三章 影响集热管成膜均匀性的设备因素 | 第25-37页 |
| 3.1 工作气体的气量选择对真空系统有效抽速的影响 | 第25-27页 |
| 3.2 圆柱靶芯两端磁铁磁场强度的影响 | 第27-29页 |
| 3.3 调节阀开度对真空系统抽气稳定性的影响 | 第29-32页 |
| 3.4 布气系统布气管及调节孔对膜层均匀性影响 | 第32-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 影响反应溅射AlN电压稳定性的工艺因素 | 第37-56页 |
| 4.1 靶管弯曲程度对反应溅射AlN电压稳定性的影响 | 第37-38页 |
| 4.2 工作点对反应溅射AlN电压稳定性的影响 | 第38-40页 |
| 4.3 本底压强对反应溅射AlN电压稳定性的影响 | 第40-41页 |
| 4.4 工作压强对反应溅射AlN电压稳定性的影响 | 第41-42页 |
| 4.5 反应气体对反应溅射AlN电压稳定性的影响 | 第42-44页 |
| 4.6 B点溅射对反应溅射AlN电压稳定性的影响 | 第44-48页 |
| 4.7 非平衡靶磁场对反应溅射AlN电压稳定性的影响 | 第48-49页 |
| 4.8 三级反馈控制对反应溅射AlN电压稳定性的影响 | 第49-51页 |
| 4.9 B点反应溅射AlN膜层管口变红问题的解决试验 | 第51-55页 |
| 4.10 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 真空管吸收膜层制备及推广 | 第56-74页 |
| 5.1 真空管吸收膜层设计的数学模型参考 | 第56-58页 |
| 5.2 实验方法优化26 | 第58-65页 |
| 5.2.1 实验方法 | 第58-59页 |
| 5.2.2 实验数据和反射曲线 | 第59-65页 |
| 5.3 分析结论 | 第65-66页 |
| 5.4 在63 | 第66-68页 |
| 5.4.1 63 | 第66-67页 |
| 5.4.2 63 | 第67页 |
| 5.4.3 63 | 第67-68页 |
| 5.5 63 | 第68-74页 |
| 5.5.1 样品制备 | 第68-69页 |
| 5.5.2 样品测试 | 第69-72页 |
| 5.5.3 分析结论 | 第72-74页 |
| 第六章 结论与展望 | 第74-76页 |
| 6.1 结论 | 第74页 |
| 6.2 创新点 | 第74-75页 |
| 6.3 展望 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
