| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 材料基因组计划和新材料设计 | 第12-16页 |
| 1.1.1 美国材料基因组计划 | 第12-14页 |
| 1.1.2 材料科学系统工程发展战略研究—中国版材料基因组计划 | 第14-15页 |
| 1.1.3 理论计算对于新材料设计的重要性 | 第15-16页 |
| 1.2 现有类石墨烯二维材料和新型二维材料的结构设计 | 第16-23页 |
| 1.2.1 石墨烯的发现 | 第16-17页 |
| 1.2.2 类石墨烯二维材料 | 第17-20页 |
| 1.2.3 新型二维材料的结构设计 | 第20-23页 |
| 1.3 本论文的目的和主要研究内容 | 第23-26页 |
| 第二章 理论基础与计算方法 | 第26-34页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第26-29页 |
| 2.1.1 Born–Oppenheimer近似 | 第26-27页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第27-28页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第28-29页 |
| 2.1.4 交换关联泛函 | 第29页 |
| 2.2 第一性原理计算软件包 | 第29-30页 |
| 2.3 全局结构搜索方法和CALYPSO程序包 | 第30-34页 |
| 第三章 二维Au_6S_2单层的结构预测和性质研究 | 第34-44页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 计算方法 | 第34-36页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第36-42页 |
| 3.4 小结 | 第42-44页 |
| 第四章 理论设计含亲金相互作用的二维AuMX_2(M=Al,Ga,In；X=S,Se)单层结构 | 第44-54页 |
| 4.1 引言 | 第44-45页 |
| 4.2 计算方法 | 第45-46页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第46-52页 |
| 4.4 小结 | 第52-54页 |
| 第五章 多功能二维Ti_(1-x)Si_x单层的设计与第一性原理计算研究 | 第54-64页 |
| 5.1 引言 | 第54-55页 |
| 5.2 计算方法 | 第55-56页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第56-62页 |
| 5.4 小结 | 第62-64页 |
| 第六章 具备半金属和室温居里温度特性的二维过渡金属氢化物 | 第64-74页 |
| 6.1 引言 | 第64-65页 |
| 6.2 计算方法 | 第65-66页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第66-73页 |
| 6.4 小结 | 第73-74页 |
| 第七章 相关工作、全文总结及展望 | 第74-84页 |
| 7.1 二维C_8-BTBT分子晶体在石墨烯基底上的结构组成 | 第74-80页 |
| 7.2 全文总结及展望 | 第80-84页 |
| 附录一 参考文献 | 第84-104页 |
| 附录二 致谢 | 第104-106页 |
| 附录三 攻读博士学位期间已发表和待发表论文 | 第106-108页 |
