| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 气敏传感器 | 第8-10页 |
| 1.2 硅纳米线 | 第10页 |
| 1.3 氧化钨纳米线 | 第10-11页 |
| 1.4 复合结构气敏传感器的研究现状 | 第11-13页 |
| 1.5 本课题的主要研究内容和意义 | 第13-16页 |
| 第二章 有序硅纳米线阵列的制备及其微观表征 | 第16-24页 |
| 2.1 本章所用到的试剂及设备 | 第16-17页 |
| 2.2 有序硅纳米线阵列的制备 | 第17-22页 |
| 2.2.1 硅片的清洗 | 第17页 |
| 2.2.2 金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线 | 第17-19页 |
| 2.2.3 硅纳米线的表面粗糙、稀疏处理 | 第19页 |
| 2.2.4 有序硅纳米线阵列的微观表征 | 第19-22页 |
| 2.3 本章小结 | 第22-24页 |
| 第三章 热氧化法制备氧化钨纳米线复合结构及其微观表征与气敏研究 | 第24-42页 |
| 3.1 本章所用到的试剂及设备 | 第24-28页 |
| 3.2 热氧化法制备硅纳米线/氧化钨纳米线复合结构 | 第28-30页 |
| 3.2.1 金属钨薄膜的溅射 | 第28页 |
| 3.2.2 氧化钨纳米线阵列的复合热氧化生长 | 第28-29页 |
| 3.2.3 Pt电极的制备 | 第29-30页 |
| 3.2.4 气敏性能的测试 | 第30页 |
| 3.3 热氧化法制备的硅纳米线/氧化钨纳米线复合结构的微观表征 | 第30-36页 |
| 3.3.1 SEM表征 | 第30-34页 |
| 3.3.2 XRD分析 | 第34-35页 |
| 3.3.3 EDS分析 | 第35页 |
| 3.3.4 TEM分析 | 第35-36页 |
| 3.4 热氧化法制备的硅纳米线/氧化钨纳米线复合结构的气敏研究 | 第36-40页 |
| 3.4.1 动态响应特性分析 | 第36-37页 |
| 3.4.2 重复性分析 | 第37-38页 |
| 3.4.3 选择性分析 | 第38页 |
| 3.4.4 复合异质多级结构的NO2气敏机理分析 | 第38-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 水热法制备硅纳米线/氧化钨纳米线复合结构及微观表征 | 第42-52页 |
| 4.1 本章所用到的试剂及设备 | 第42-43页 |
| 4.2 水热法制备硅纳米线/氧化钨纳米线复合结构及机理 | 第43-45页 |
| 4.2.1 种子层的制备 | 第43页 |
| 4.2.2 水热反应液的配制 | 第43-44页 |
| 4.2.3 氧化钨纳米线的水热法复合生长 | 第44页 |
| 4.2.4 氧化钨纳米线的水热法生长机理 | 第44-45页 |
| 4.3 水热法制备硅纳米线/氧化钨纳米线复合结构的微观表征 | 第45-49页 |
| 4.3.1 SEM表征 | 第45-48页 |
| 4.3.2 XRD分析 | 第48页 |
| 4.3.3 EDS分析 | 第48-49页 |
| 4.3.4 TEM分析 | 第49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-52页 |
| 第五章 总结与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 总结 | 第52页 |
| 5.2 展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
