| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 第一章 文献综述 | 第7-24页 |
| 1.1 二氧化铪基薄膜在微电子领域的应用现状 | 第7-9页 |
| 1.2 二氧化铪基薄膜的相变及影响因素 | 第9-12页 |
| 1.2.1 HfO_2的晶体结构 | 第9页 |
| 1.2.2 元素掺杂对HfO_2晶体结构的影响 | 第9-10页 |
| 1.2.3 表面能对HfO_2晶体结构的影响 | 第10-12页 |
| 1.2.4 退火工艺对HfO_2晶体结构的影响 | 第12页 |
| 1.3 二氧化铪基铁电薄膜的研究现状 | 第12-17页 |
| 1.3.1 HfO_2基铁电薄膜的研究现状及应用前景 | 第12-13页 |
| 1.3.2 HfO_2基薄膜中铁电性的来源 | 第13-14页 |
| 1.3.3 HfO_2基铁电薄膜的研究现状 | 第14-17页 |
| 1.4 二氧化铪基薄膜的制备方法 | 第17-22页 |
| 1.4.1 原子层沉积 | 第17-18页 |
| 1.4.2 物理气相沉积 | 第18-20页 |
| 1.4.3 化学气相沉积 | 第20-21页 |
| 1.4.4 化学液相沉积 | 第21-22页 |
| 1.5 本论文的研究内容及目的 | 第22-24页 |
| 第二章 实验部分 | 第24-34页 |
| 2.1 实验试剂和仪器 | 第24-25页 |
| 2.2 钇掺杂二氧化铪薄膜的制备 | 第25-27页 |
| 2.2.1 钇掺杂二氧化铪溶胶的制备步骤 | 第25-26页 |
| 2.2.2 硅基片清洗工艺 | 第26-27页 |
| 2.2.3 钇掺杂二氧化铪薄膜的制备步骤 | 第27页 |
| 2.3 氮化钛上电极的制备 | 第27-28页 |
| 2.4 测试分析与表征方法 | 第28-31页 |
| 2.4.1 热分析法 | 第28页 |
| 2.4.2 掠入射X射线衍射(GIXRD)分析 | 第28页 |
| 2.4.3 X射线反射率(XRR)测量 | 第28-30页 |
| 2.4.4 X射线光电子能谱(XPS) | 第30-31页 |
| 2.5 电学性能测试 | 第31-34页 |
| 2.5.1 Radiant铁电测试仪 | 第31页 |
| 2.5.2 电滞回线测试原理 | 第31-32页 |
| 2.5.3 薄膜介电性能测试原理 | 第32-34页 |
| 第三章 Y:HfO_2溶胶与薄膜的制备 | 第34-40页 |
| 3.1 形成二氧化铪溶胶的化学机理 | 第34-35页 |
| 3.2 钇掺杂二氧化铪干凝胶的热分析 | 第35-36页 |
| 3.3 TiN上电极的制备 | 第36-37页 |
| 3.4 不同退火温度对Y:HfO_2薄膜晶体结构的影响 | 第37-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 Y:HfO_2薄膜的相变及介电性能 | 第40-47页 |
| 4.1 Y:HfO_2薄膜厚度的测量及拟合分析 | 第40-42页 |
| 4.2 Y:HfO_2薄膜的相变影响因素 | 第42-45页 |
| 4.3 Y:HfO_2薄膜的介电性能 | 第45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第五章 Y:HfO_2薄膜的铁电性能 | 第47-56页 |
| 5.1 2mol%Y:HfO_2薄膜样品的成分及化学态分析 | 第47-48页 |
| 5.2 2mol%Y:HfO_2样品薄膜厚度对晶体结构的影响 | 第48-50页 |
| 5.3 2mol%Y:HfO_2薄膜电容器的集成及电学性能测试 | 第50-54页 |
| 5.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
