| 摘要 | 第9-10页 |
| ABSTRACT | 第10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第11-13页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第13-16页 |
| 1.3 主要研究内容与文章架构 | 第16-19页 |
| 第二章 交叉阵列的研究进展与分析 | 第19-33页 |
| 2.1 交叉阵列中的串扰问题 | 第19-30页 |
| 2.1.1 串扰问题介绍 | 第19-20页 |
| 2.1.2 基于外加电路的解决方案 | 第20-24页 |
| 2.1.3 基于阵列单元非线性特性的解决方案 | 第24-30页 |
| 2.2 交叉阵列中的线电阻问题 | 第30-32页 |
| 2.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 1D1R结构阵列中交叉串扰问题及解决方案研究 | 第33-51页 |
| 3.1 1D1R单元参数分析 | 第33-40页 |
| 3.1.1 阻变存储单元阻值分布特性 | 第33-35页 |
| 3.1.2 1D1R等效电路模型 | 第35-38页 |
| 3.1.3 二极管导通压降 | 第38-40页 |
| 3.2 1D1R结构交叉阵列建模与评价 | 第40-43页 |
| 3.2.1 模型结构分析 | 第40-42页 |
| 3.2.2 模型参数确定 | 第42-43页 |
| 3.2.3 阵列评价指标 | 第43页 |
| 3.3 1D1R结构交叉阵列偏置方案 | 第43-50页 |
| 3.3.1 经典偏置方案下的串扰问题 | 第43-47页 |
| 3.3.2 一种基于二极管导电特性的uD/2偏置方案 | 第47-48页 |
| 3.3.3 仿真验证 | 第48-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 1D1R结构阵列中线电阻问题及解决方法研究 | 第51-66页 |
| 4.1 1D1R结构阵列单元写操作影响因素分析 | 第51-55页 |
| 4.1.1 被选单元导电通路模型 | 第51-53页 |
| 4.1.2 阻变存储器阻态对被选单元两端电压的影响 | 第53-55页 |
| 4.2 交叉阵列中线电阻影响分析 | 第55-59页 |
| 4.2.1 线电阻对被选单元写电压的影响 | 第55-57页 |
| 4.2.2 线电阻阻值误差的影响 | 第57-59页 |
| 4.3 一种基于电压源系数调整的单位数据写操作方法 | 第59-62页 |
| 4.3.1 电压源系数调整 | 第59页 |
| 4.3.2 写操作方法设计 | 第59-60页 |
| 4.3.3 仿真验证 | 第60-62页 |
| 4.4 一种基于位线串联补偿电阻方法的同字线多位数据写操作方法 | 第62-65页 |
| 4.4.1 位线串联补偿电阻方法 | 第62-63页 |
| 4.4.2 写操作方法设计 | 第63-64页 |
| 4.4.3 仿真验证 | 第64-65页 |
| 4.5 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 总结和展望 | 第66-67页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第66页 |
| 5.2 存在的不足与未来工作展望 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第74页 |
