GaAs基BIB探测器关键技术研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 太赫兹科学研究近况 | 第10-12页 |
| 1.2 太赫兹探测器研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 阻挡杂质带太赫兹探测器研究现状 | 第14-16页 |
| 1.4 本论文研究的工作内容 | 第16-18页 |
| 第二章 BIB器件物理基础 | 第18-26页 |
| 2.1 BIB器件结构 | 第18-19页 |
| 2.2 BIB器件物理原理 | 第19-23页 |
| 2.2.1 BIB器件中热平衡载流子浓度 | 第19-21页 |
| 2.2.2 BIB器件工作原理 | 第21-23页 |
| 2.3 BIB器件性能参数 | 第23-24页 |
| 2.3.1 量子效率 | 第23-24页 |
| 2.3.2 响应率 | 第24页 |
| 2.3.3 噪声 | 第24页 |
| 2.3.4 探测率 | 第24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-26页 |
| 第三章 BIB器件工艺技术基础 | 第26-35页 |
| 3.1 外延工艺技术 | 第26-28页 |
| 3.1.1 气相外延法 | 第26-27页 |
| 3.1.2 液相外延法 | 第27-28页 |
| 3.1.3 新型气相外延——MOCVD | 第28页 |
| 3.2 薄膜淀积工艺 | 第28-32页 |
| 3.2.1 掩蔽层的薄膜淀积 | 第29页 |
| 3.2.2 金属薄膜的淀积 | 第29-32页 |
| 3.3 光刻与刻蚀 | 第32-33页 |
| 3.4 杂质掺杂 | 第33-34页 |
| 3.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 台面型GaAs基BIB器件制备工艺 | 第35-48页 |
| 4.1 砷化镓基片的外延工艺 | 第35-37页 |
| 4.2 电极制备工艺 | 第37-39页 |
| 4.3 关键制备工艺技术 | 第39-47页 |
| 4.3.1 GaAs深刻蚀工艺 | 第39-45页 |
| 4.3.2 退火 | 第45页 |
| 4.3.3 光刻工艺 | 第45-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 BIB器件测试 | 第48-59页 |
| 5.1 背景电流测试 | 第48-53页 |
| 5.2 暗电流测试 | 第53-57页 |
| 5.3 黑体响应测试 | 第57-58页 |
| 5.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第六章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 6.1 总结 | 第59页 |
| 6.2 不足与展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 附录 | 第68页 |
