| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第6-16页 |
| 1.1 论文研究背景 | 第6-9页 |
| 1.1.1 半导体分立器件发展概况 | 第6-7页 |
| 1.1.2 硅恒流器件的发展与现状 | 第7-8页 |
| 1.1.3 论文研究的意义 | 第8-9页 |
| 1.2 恒流二极管国内外的发展现状 | 第9-11页 |
| 1.2.1 国外发展概况 | 第9-10页 |
| 1.2.2 国内发展概况 | 第10-11页 |
| 1.3 恒流二极管的应用 | 第11-14页 |
| 1.3.1 产生基准电压 | 第12页 |
| 1.3.2 LED驱动 | 第12-14页 |
| 1.3.3 保护电路 | 第14页 |
| 1.4 本论文研究内容以及章节安排 | 第14-16页 |
| 第二章 半导体器件物理和数值计算方法 | 第16-33页 |
| 2.1 半导体器件物理模型 | 第16-22页 |
| 2.1.1 载流子统计分布模型 | 第16-17页 |
| 2.1.2 载流子散射模型 | 第17-18页 |
| 2.1.3 载流子迁移率模型 | 第18-19页 |
| 2.1.4 载流子复合模型 | 第19-22页 |
| 2.2 半导体中的基本方程 | 第22-28页 |
| 2.2.1 载流子浓度方程 | 第22-24页 |
| 2.2.2 电流密度方程 | 第24-26页 |
| 2.2.3 连续性方程 | 第26-28页 |
| 2.2.4 泊松方程 | 第28页 |
| 2.3 半导体中的基本计算方法 | 第28-32页 |
| 2.3.1 Newton迭代法 | 第28-29页 |
| 2.3.2 Gummel迭代法 | 第29-30页 |
| 2.3.3 Block迭代法 | 第30-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 恒流二极管的基本工作原理 | 第33-43页 |
| 3.1 恒流二极管的工作原理 | 第33-42页 |
| 3.1.1 恒流二极管的基本工作原理 | 第33-36页 |
| 3.1.2 恒流二极管的基本参数 | 第36-42页 |
| 3.2 恒流二极管的参数设计 | 第42页 |
| 3.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 恒流二极管关键参数的仿真分析 | 第43-60页 |
| 4.1 掺杂浓度对恒流二极管电学特性的影响 | 第45-51页 |
| 4.1.1 沟道掺杂浓度对恒流二极管电学特性的影响 | 第46-49页 |
| 4.1.2 衬底掺杂浓度对恒流二极管电学特性的影响 | 第49-51页 |
| 4.2 几何尺寸对恒流二极管电学特性的影响 | 第51-55页 |
| 4.2.1 栅漏间距对恒流二极管电学特性的影响 | 第51-53页 |
| 4.2.2 沟道长度对恒流二极管电学特性的影响 | 第53页 |
| 4.2.3 沟道厚度对恒流二极管电学特性的影响 | 第53-55页 |
| 4.3 恒流二极管器件的温度特性 | 第55-57页 |
| 4.4 动态电阻特性 | 第57-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 工艺技术和版图设计 | 第60-74页 |
| 5.1 主要的工艺技术 | 第60-65页 |
| 5.1.1 热氧化工艺 | 第60-61页 |
| 5.1.2 光刻工艺 | 第61-62页 |
| 5.1.3 离子注入工艺 | 第62-63页 |
| 5.1.4 欧姆接触工艺 | 第63-64页 |
| 5.1.5 封装 | 第64-65页 |
| 5.2 工艺流程 | 第65-67页 |
| 5.3 版图设计 | 第67-68页 |
| 5.4 器件PSPICE建模 | 第68-69页 |
| 5.5 器件实测结果 | 第69-73页 |
| 5.5.1 测试仪器介绍 | 第69-70页 |
| 5.5.2 器件实测结果 | 第70-73页 |
| 5.6 本章小结 | 第73-74页 |
| 第六章 结论 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第79-80页 |