| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第11-15页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第11-12页 |
| 1.2 CRT研究现状 | 第12-14页 |
| 1.2.1 CRT国外研究现状 | 第12页 |
| 1.2.2 CRT国内研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 主要研究内容 | 第14-15页 |
| 2 CRT及磁集成技术基本原理分析 | 第15-19页 |
| 2.1 CRT基本原理 | 第15页 |
| 2.2 磁集成技术基本原理 | 第15-19页 |
| 2.2.1 磁集成技术应用于CRT的高阻抗原理 | 第16-17页 |
| 2.2.2 磁集成技术应用于CRT的解耦原理 | 第17-19页 |
| 3 基于磁路的CRT漏磁场计算 | 第19-27页 |
| 3.1 CRT的磁通密度计算 | 第19-20页 |
| 3.2 CRT的漏磁通计算 | 第20-23页 |
| 3.3 算例分析 | 第23-26页 |
| 3.3.1 磁路解析计算 | 第24页 |
| 3.3.2 有限元计算 | 第24-26页 |
| 3.3.3 计算结果对比 | 第26页 |
| 3.4 小结 | 第26-27页 |
| 4 磁集成结构CRT的对比分析及设计 | 第27-36页 |
| 4.1 磁集成CRT结构分析 | 第27-31页 |
| 4.1.1 阵列式磁集成CRT | 第27-28页 |
| 4.1.2 多导磁材料磁集成CRT | 第28-29页 |
| 4.1.3 分裂式磁集成CRT | 第29-30页 |
| 4.1.4 多基本独立单元磁集成CRT | 第30-31页 |
| 4.2 多控制绕组基本单元磁集成CRT结构设计原则 | 第31-32页 |
| 4.3 双控制绕组基本单元磁集成CRT | 第32-33页 |
| 4.4 磁集成CRT对比分析 | 第33-35页 |
| 4.5 小结 | 第35-36页 |
| 5 双控制绕组基本单元磁集成CRT的结构分析 | 第36-45页 |
| 5.1 双控制绕组基本单元磁集成CRT结构设计 | 第36-37页 |
| 5.2 等效磁路分析 | 第37-39页 |
| 5.3 等效电路分析 | 第39-40页 |
| 5.4 算例验证 | 第40-44页 |
| 5.5 小结 | 第44-45页 |
| 6 双控制绕组基本单元磁集成CRT结构参数优化 | 第45-54页 |
| 6.1 CRT结构参数与损耗、成本的关系 | 第45-48页 |
| 6.1.1 成本计算 | 第46页 |
| 6.1.2 损耗计算 | 第46-47页 |
| 6.1.3 CRT成本与损耗分析 | 第47-48页 |
| 6.2 CRT结构参数优化模型 | 第48-51页 |
| 6.2.1 优化变量和约束条件 | 第48-49页 |
| 6.2.2 目标函数 | 第49-51页 |
| 6.2.3 结构参数优化方法 | 第51页 |
| 6.3 双控制绕组基本单元结构参数优化结果对比分析 | 第51-53页 |
| 6.4 小结 | 第53-54页 |
| 7 基于ANSYS的双控制绕组基本单元磁集成CRT损耗计算 | 第54-59页 |
| 7.1 损耗计算原理 | 第54-55页 |
| 7.1.1 铁芯损耗计算原理 | 第54-55页 |
| 7.1.2 绕组损耗计算原理 | 第55页 |
| 7.2 双控制绕组基本单元磁集成CRT的损耗计算 | 第55-57页 |
| 7.2.1 铁芯损耗计算 | 第56-57页 |
| 7.2.2 绕组损耗计算 | 第57页 |
| 7.3 双控制绕组基本单元磁集成CRT损耗分析 | 第57-58页 |
| 7.4 小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第65页 |
