三明治结构终端的IGBT设计
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 IGBT器件发展概况 | 第10-14页 |
| 1.3 本课题的研究意义 | 第14-15页 |
| 1.4 本论文的主要工作 | 第15-16页 |
| 第二章 IGBT原理 | 第16-31页 |
| 2.1 结反向击穿原理 | 第16-19页 |
| 2.1.1 雪崩击穿 | 第16-17页 |
| 2.1.2 热击穿 | 第17-18页 |
| 2.1.3 曲面结耐压 | 第18-19页 |
| 2.2 终端技术 | 第19-25页 |
| 2.2.1 等位环 | 第19-20页 |
| 2.2.2 场板 | 第20-21页 |
| 2.2.3 场限环 | 第21-22页 |
| 2.2.4 JTE和VLD | 第22-23页 |
| 2.2.5 深槽终端 | 第23-25页 |
| 2.3 TrenchFSIGBT静态特性 | 第25-28页 |
| 2.3.1 阻断特性 | 第25-26页 |
| 2.3.2 正向导通特性 | 第26-28页 |
| 2.4 TrenchFSIGBT开关特性 | 第28-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 三明治结构终端工作原理分析 | 第31-44页 |
| 3.1 三明治终端结构 | 第31-34页 |
| 3.2 埋层长度对终端的影响 | 第34-36页 |
| 3.3 埋层深度对终端的影响 | 第36-38页 |
| 3.4 埋层掺杂浓度对终端的影响 | 第38-40页 |
| 3.5 埋层厚度对终端的影响 | 第40-41页 |
| 3.6 界面电荷对终端的影响 | 第41-43页 |
| 3.7 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 三明治结构终端的IGBT工艺设计与仿真 | 第44-69页 |
| 4.1 工艺流程设计 | 第44-46页 |
| 4.2 IGBT元胞设计 | 第46-59页 |
| 4.2.1 N型基区外延参数 | 第46-48页 |
| 4.2.2 背面参数优化 | 第48-49页 |
| 4.2.3 台面宽度优化 | 第49-50页 |
| 4.2.4 MOS结构P型体区优化 | 第50-53页 |
| 4.2.5 槽结构参数优化 | 第53-56页 |
| 4.2.6 虚栅设计 | 第56-59页 |
| 4.3 三明治结构终端设计 | 第59-66页 |
| 4.3.1 埋层工艺参数 | 第59-60页 |
| 4.3.2 终端注入剂量工艺容差 | 第60-62页 |
| 4.3.3 三明治结构耐压随温度的变化 | 第62-63页 |
| 4.3.4 三明治结构终端耐压受界面电荷的影响 | 第63-65页 |
| 4.3.5 与常规场限环终端的对比 | 第65-66页 |
| 4.4 版图设计 | 第66-68页 |
| 4.5 本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 结论 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 攻读硕士研究生期间取得的成果 | 第76页 |
