| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 微结构硅材料及其发展 | 第11-19页 |
| 1.2.1 多孔硅发现及其发展 | 第11-13页 |
| 1.2.2 黑硅的发现及发展 | 第13-17页 |
| 1.2.3 其它微结构硅的发现及研究进展 | 第17-19页 |
| 1.3 基于微结构硅的“金属/半导体”接触 | 第19-25页 |
| 1.3.1“金属/半导体”接触基本原理 | 第20-21页 |
| 1.3.1.1 金属功函数与半导体电子亲和能 | 第20页 |
| 1.3.1.2 阻挡层与反阻挡层的形成 | 第20-21页 |
| 1.3.2 微结构硅的金半接触研究现状 | 第21-24页 |
| 1.3.3 微结构硅金半接触的测试方法 | 第24-25页 |
| 1.4 可用于微结构硅的金属电极制备方法 | 第25-28页 |
| 1.4.1 物理气相沉积 | 第25-26页 |
| 1.4.2 电镀与化学镀 | 第26-28页 |
| 1.4.3 贵金属修饰 | 第28页 |
| 1.5 研究内容和技术路线 | 第28-30页 |
| 1.5.1 研究内容 | 第28-29页 |
| 1.5.2 技术路线 | 第29-30页 |
| 第二章 微结构硅的制备 | 第30-38页 |
| 2.1 电化学腐蚀制备多孔硅 | 第30-33页 |
| 2.1.1 基本原理 | 第30-31页 |
| 2.1.2 实验方法 | 第31-32页 |
| 2.1.3 多孔硅形貌表征 | 第32-33页 |
| 2.2 纳米压印刻蚀制备微结构硅 | 第33-36页 |
| 2.2.1 基本原理 | 第33-34页 |
| 2.2.2 实验方法 | 第34页 |
| 2.2.3 微结构硅形貌表征 | 第34-36页 |
| 2.3 微结构硅的反射率测试 | 第36-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 基于微结构硅的电极制备及电接触性能测试 | 第38-51页 |
| 3.1 电极制备实验方案设计 | 第38-39页 |
| 3.2 电极制备及其电接触性能对比研究 | 第39-49页 |
| 3.2.1 基于物理气相沉积的电极制备及性能测试 | 第39-42页 |
| 3.2.1.1 真空热蒸发 | 第39-41页 |
| 3.2.1.2 直流溅射 | 第41-42页 |
| 3.2.2 基于化学镀的电极制备及性能测试 | 第42-47页 |
| 3.2.2.1 传统化学镀 | 第42-44页 |
| 3.2.2.2 直接化学镀 | 第44-47页 |
| 3.2.3 基于贵金属修饰后热蒸发的电极制备及性能测试 | 第47-49页 |
| 3.2.3.1 基于Pd修饰 | 第47-48页 |
| 3.2.3.2 基于Ru修饰 | 第48-49页 |
| 3.3 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 基于微结构硅的新型PIN探测器试制 | 第51-62页 |
| 4.1 硅基PIN光电探测器 | 第51页 |
| 4.2 硅基PIN探测器的基本原理简介 | 第51-54页 |
| 4.2.1 本征层的影响 | 第53页 |
| 4.2.2 偏置电压的影响 | 第53-54页 |
| 4.3 基于微结构硅的PIN单元器件试制 | 第54-61页 |
| 4.3.1 背照式器件试制及性能测试 | 第54-58页 |
| 4.3.2 正照式PIN器件的设计与设想 | 第58-61页 |
| 4.4 小结 | 第61-62页 |
| 第五章 结论与展望 | 第62-64页 |
| 5.1 结论 | 第62页 |
| 5.2 展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第69-70页 |