石墨烯的化学气相沉积（CVD）法制备及其性能研究
| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 目录 | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 石墨烯的结构与性质 | 第12-16页 |
| 1.2.1 石墨烯的结构 | 第12-13页 |
| 1.2.2 石墨烯的性质 | 第13-16页 |
| 1.3 石墨烯的主要制备方法概述 | 第16-20页 |
| 1.3.1 剥离法 | 第16-18页 |
| 1.3.2 氧化还原法 | 第18-19页 |
| 1.3.3 SiC 外延法 | 第19页 |
| 1.3.4 化学气相沉积（CVD）法 | 第19-20页 |
| 1.4 石墨烯的应用 | 第20-24页 |
| 1.4.1 透明导电材料 | 第20-21页 |
| 1.4.2 能量存储 | 第21-23页 |
| 1.4.3 高频器件 | 第23-24页 |
| 1.5 本文的主要内容 | 第24-26页 |
| 第二章 实验及表征方法 | 第26-35页 |
| 2.1 引言 | 第26页 |
| 2.2 实验部分 | 第26-29页 |
| 2.2.1 实验仪器及设备 | 第26-28页 |
| 2.2.2 实验流程 | 第28-29页 |
| 2.3 化学气相沉积法制备石墨烯原理 | 第29-30页 |
| 2.4 表征方法 | 第30-35页 |
| 2.4.1 光学显微镜 | 第31页 |
| 2.4.2 拉曼光谱 | 第31-32页 |
| 2.4.3 原子力显微镜 | 第32-33页 |
| 2.4.4 扫描电子显微镜 | 第33-35页 |
| 第三章 铜衬底的预处理 | 第35-51页 |
| 3.1 引言 | 第35-36页 |
| 3.2 铜衬底的退火处理结果及分析 | 第36-41页 |
| 3.3 铜衬底退火前预处理 | 第41-49页 |
| 3.3.1 盐酸预刻蚀处理 | 第41-45页 |
| 3.3.2 硝酸铁水溶液预刻蚀处理 | 第45-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 石墨烯薄膜制备与转移 | 第51-70页 |
| 4.1 引言 | 第51页 |
| 4.2 生长参数对石墨烯质量的影响 | 第51-60页 |
| 4.2.1 生长温度对石墨烯质量的影响 | 第51-54页 |
| 4.2.2 碳源浓度对石墨烯质量的影响 | 第54-60页 |
| 4.3 CVD 石墨烯薄膜的转移 | 第60-65页 |
| 4.3.1 CVD 石墨烯薄膜转移步骤 | 第60-61页 |
| 4.3.2 转移中铜衬底刻蚀前的预处理 | 第61-65页 |
| 4.4 所得石墨烯性能表征 | 第65-69页 |
| 4.5 本章小结 | 第69-70页 |
| 第五章 结论与展望 | 第70-72页 |
| 5.1 结论 | 第70-71页 |
| 5.2 展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-81页 |
| 作者在攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第81-82页 |
| 作者在攻读硕士学位期间所作的项目 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83页 |
