| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第16-17页 |
| 缩略语对照表 | 第17-21页 |
| 第一章 绪论 | 第21-35页 |
| 1.1 太赫兹技术的研究背景 | 第21页 |
| 1.2 太赫兹无源器件的发展 | 第21-32页 |
| 1.2.1 太赫兹传输线 | 第22-24页 |
| 1.2.2 太赫兹滤波器 | 第24-29页 |
| 1.2.3 太赫兹天线 | 第29-32页 |
| 1.3 本文的主要研究内容及构架 | 第32-35页 |
| 第二章 太赫兹无源器件的基础理论 | 第35-47页 |
| 2.1 传输线基础理论 | 第35-42页 |
| 2.1.1 传输线电路模型 | 第35-38页 |
| 2.1.2 共面波导传输线 | 第38-40页 |
| 2.1.3 矩形波导传输线 | 第40-42页 |
| 2.2 滤波器与天线基础理论 | 第42-45页 |
| 2.2.1 滤波器基础理论 | 第42-44页 |
| 2.2.2 天线基础理论 | 第44-45页 |
| 2.3 小结 | 第45-47页 |
| 第三章 宽禁带半导体太赫兹单片集成无源电路的关键工艺 | 第47-65页 |
| 3.1 碳化硅基太赫兹无源电路的工艺流程 | 第47-48页 |
| 3.2 金属粗糙度的控制 | 第48-50页 |
| 3.3 碳化硅衬底的减薄 | 第50-52页 |
| 3.4 刻蚀掩膜的工艺实现 | 第52-53页 |
| 3.5 碳化硅通孔的精细刻蚀 | 第53-62页 |
| 3.5.1 ICP刻蚀原理及刻蚀气体的选择 | 第53-55页 |
| 3.5.2 等离子体功率源对刻蚀的影响 | 第55-56页 |
| 3.5.3 下电极功率对刻蚀的影响 | 第56-57页 |
| 3.5.4 腔室压力对刻蚀的影响 | 第57-58页 |
| 3.5.5 衬底底部金属对刻蚀形貌的影响 | 第58-59页 |
| 3.5.6 孔径对通孔刻蚀的影响 | 第59-61页 |
| 3.5.7 载片电阻率对刻蚀速率的影响 | 第61-62页 |
| 3.6 金属化溅射和划片 | 第62-63页 |
| 3.7 小结 | 第63-65页 |
| 第四章 宽禁带半导体太赫兹单片集成无源器件设计 | 第65-121页 |
| 4.1 SiC高性能太赫兹单片集成传输线的设计 | 第65-87页 |
| 4.1.1 碳化硅基太赫兹SIW传输线的设计与分析 | 第65-77页 |
| 4.1.2 碳化硅基太赫兹单片集成共面波导传输线的设计 | 第77-87页 |
| 4.2 基于SiC衬底的高性能太赫兹单片滤波器和天线的设计 | 第87-111页 |
| 4.2.1 太赫兹谐振腔设计与分析 | 第87-90页 |
| 4.2.2 谐振枝节加载的太赫兹滤波器设计 | 第90-106页 |
| 4.2.3 基于空气桥结构的平面八木天线设计 | 第106-111页 |
| 4.3 太赫兹无源电路的版图设计和工艺实现 | 第111-112页 |
| 4.4 太赫兹无源器件的测试 | 第112-118页 |
| 4.4.1 测试平台介绍 | 第112-114页 |
| 4.4.2 传输线的测试 | 第114-117页 |
| 4.4.3 SIW滤波器的测试 | 第117-118页 |
| 4.5 小结 | 第118-121页 |
| 第五章 基于3D结构的可集成太赫兹滤波器和天线设计 | 第121-139页 |
| 5.1 3D结构传输线和谐振腔的设计 | 第121-127页 |
| 5.1.1 传输线的分析和设计 | 第121-125页 |
| 5.1.2 谐振腔的分析和设计 | 第125-127页 |
| 5.2 基于3D-SICW的滤波器和天线设计 | 第127-135页 |
| 5.2.1 谐振腔的耦合设计 | 第127-129页 |
| 5.2.2 滤波器的设计 | 第129-133页 |
| 5.2.3 滤波天线的设计 | 第133-135页 |
| 5.3 3D结构器件的加工和测量 | 第135-137页 |
| 5.4 小结 | 第137-139页 |
| 第六章 总结和展望 | 第139-141页 |
| 6.1 研究总结 | 第139-140页 |
| 6.2 未来工作展望 | 第140-141页 |
| 参考文献 | 第141-153页 |
| 致谢 | 第153-155页 |
| 作者简介 | 第155-157页 |
