降低硅基微元阵APD暗电流结构优化的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 课题背景 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第9-13页 |
| 1.2.1 微元 Si-APD 结构的发展 | 第9-11页 |
| 1.2.2 不同材料 APD 的暗电流 | 第11-13页 |
| 1.3 论文的主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第2章 微元阵 Si-APD 理论 | 第15-36页 |
| 2.1 微元阵 Si-APD 的工作原理 | 第15-17页 |
| 2.2 硅中载流子的产生与运动规律 | 第17-23页 |
| 2.2.1 SRH 产生复合理论 | 第17-18页 |
| 2.2.2 光吸收理论 | 第18-20页 |
| 2.2.3 漂移速度 | 第20-21页 |
| 2.2.4 碰撞电离理论 | 第21-23页 |
| 2.3 微元阵 Si-APD 的暗电流 | 第23-25页 |
| 2.4 微元 Si-APD 的理论模型 | 第25-35页 |
| 2.4.1 电场分布的理论推导 | 第26-28页 |
| 2.4.2 硅中载流子的离化率 | 第28-32页 |
| 2.4.3 倍增因子 | 第32-33页 |
| 2.4.4 暗电流 | 第33-35页 |
| 2.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 第3章 微元 Si-APD 的结构优化 | 第36-46页 |
| 3.1 微元 Si-APD 的表面层 | 第36-37页 |
| 3.2 光吸收的结构分析 | 第37-39页 |
| 3.3 耗尽层的电场分布优化 | 第39-45页 |
| 3.3.1 初始结构 | 第39-40页 |
| 3.3.2 场控层浓度 | 第40-42页 |
| 3.3.3 倍增层厚度 | 第42-43页 |
| 3.3.4 吸收层浓度 | 第43-45页 |
| 3.3.5 最终优化结构 | 第45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 微元阵 Si-APD 流片模拟及制备 | 第46-57页 |
| 4.1 微元 Si-APD 的流片模拟 | 第46-49页 |
| 4.2 增透膜及钝化层 | 第49-50页 |
| 4.3 微元阵 Si-APD 的串扰问题 | 第50-53页 |
| 4.4 流片测试与理论对比 | 第53-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读硕士期间发表的论文及其他成果 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
