| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 概述 | 第9-23页 |
| 1.1 铁电材料概述及研究进展 | 第9-14页 |
| 1.1.1 铁电薄膜概述 | 第10-11页 |
| 1.1.2 钛酸锶薄膜的性能及研究进展 | 第11-13页 |
| 1.1.3 钛酸钡薄膜的性能及研究进展 | 第13-14页 |
| 1.2 薄膜制备方法 | 第14-20页 |
| 1.2.1 等离子体增强化学气相沉积法 | 第14-15页 |
| 1.2.2 金属有机化学气相沉积法 | 第15-17页 |
| 1.2.3 脉冲激光沉积法 | 第17-18页 |
| 1.2.4 溶胶—凝胶法 | 第18-19页 |
| 1.2.5 磁控溅射 | 第19-20页 |
| 1.3 钛酸锶薄膜的应用 | 第20-21页 |
| 1.3.1 氧敏材料 | 第20页 |
| 1.3.2 PZT铁电薄膜电极材料 | 第20页 |
| 1.3.3 互补金属氧化物半导体(CMOS)中的应用 | 第20-21页 |
| 1.3.4 热敏元件 | 第21页 |
| 1.4 本论文的研究背景和内容 | 第21-23页 |
| 第2章 实验原理及方法 | 第23-37页 |
| 2.1 磁控溅射原理 | 第23-25页 |
| 2.1.1 磁控溅射 | 第24-25页 |
| 2.1.2 射频磁控溅射 | 第25页 |
| 2.2 三工位磁控溅射镀膜装置 | 第25-29页 |
| 2.2.1 装置结构 | 第25-27页 |
| 2.2.2 工作原理 | 第27-29页 |
| 2.2.3 特点 | 第29页 |
| 2.3 钛酸锶薄膜的制备 | 第29-30页 |
| 2.4 钛酸锶薄膜性能表征 | 第30-36页 |
| 2.4.1 X射线衍射分析 | 第31-33页 |
| 2.4.2 原子力显微镜分析 | 第33-35页 |
| 2.4.3 台阶仪分析 | 第35页 |
| 2.4.4 霍尔测试仪分析 | 第35页 |
| 2.4.5 X射线光电子能谱分析 | 第35-36页 |
| 2.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第3章 磁控溅射工艺参数对STO薄膜相结构和形貌的影响 | 第37-51页 |
| 3.1 钛酸锶靶材 | 第37-38页 |
| 3.2 基底温度对钛酸锶薄膜相结构和形貌的影响 | 第38-40页 |
| 3.2.1 X射线衍射测试 | 第38-39页 |
| 3.2.2 原子力显微镜测试 | 第39-40页 |
| 3.3 基底取向对钛酸锶薄膜择优取向生长的影响 | 第40-42页 |
| 3.3.1 X射线衍射测试 | 第41-42页 |
| 3.3.2 原子力显微镜测试 | 第42页 |
| 3.4 成膜时间对钛酸锶薄膜厚度和相结构的影响 | 第42-45页 |
| 3.4.1 原子力显微镜测试 | 第42-44页 |
| 3.4.2 X射线衍射测试 | 第44-45页 |
| 3.5 氧分压对钛酸锶薄膜相结构和形貌的影响 | 第45-47页 |
| 3.5.1 X射线光电子能谱 | 第45-46页 |
| 3.5.2 原子力显微镜测试 | 第46-47页 |
| 3.6 溅射气压对钛酸锶薄膜相结构和形貌的影响 | 第47-49页 |
| 3.6.1 X射线衍射测试 | 第48-49页 |
| 3.7 本章小结 | 第49-51页 |
| 第4章 钛酸锶薄膜微结构及多层膜制备 | 第51-59页 |
| 4.1 晶化研究 | 第51-52页 |
| 4.2 多层膜的制备 | 第52-56页 |
| 4.2.1 实验过程 | 第52-53页 |
| 4.2.2 X射线衍射测试 | 第53-54页 |
| 4.2.3 原子力显微镜测试 | 第54-55页 |
| 4.2.4 X射线光电子能谱 | 第55-56页 |
| 4.3 本章小结 | 第56-59页 |
| 第5章 结论与展望 | 第59-61页 |
| 5.1 结论 | 第59页 |
| 5.2 展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第69页 |