摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
1 绪论 | 第11-21页 |
1.1 引言 | 第11页 |
1.2 半导体简介 | 第11-12页 |
1.3 TIO_2半导体材料简介 | 第12-13页 |
1.3.1 TiO_2的晶体结构 | 第12页 |
1.3.2 晶格缺陷 | 第12-13页 |
1.3.3 TiO_2表面活性对催化性能的影响 | 第13页 |
1.4 SNO_2半导体材料简介 | 第13-15页 |
1.4.1 SnO_2结构与性质 | 第13-14页 |
1.4.2 SnO_2的光催化性能 | 第14页 |
1.4.3 SnO_2粉体的制备方法 | 第14页 |
1.4.4 SnO_2光催化中存在的问题和解决办法 | 第14-15页 |
1.5 复合半导体材料催化理论 | 第15-17页 |
1.5.1 复合半导体催化剂提高光催化效率的机理 | 第15-16页 |
1.5.2 SnO_2/TiO_2复合材料研究现状 | 第16-17页 |
1.6 酞菁及其纳米复合材料简介 | 第17-19页 |
1.6.1 酞菁结构和性质 | 第17-19页 |
1.6.2 酞菁/金属氧化物纳米复合材料 | 第19页 |
1.7 选题依据和研究内容 | 第19-21页 |
2 实验部分 | 第21-28页 |
2.1 实验试剂与仪器 | 第21-22页 |
2.1.1 实验试剂 | 第21-22页 |
2.1.2 主要设备及仪器 | 第22页 |
2.2 前驱体的合成 | 第22-23页 |
2.2.1 半导体纳米粉体合成 | 第22-23页 |
2.2.2 四种 4-芳氧基邻苯二腈的制备 | 第23页 |
2.3 纳米复合光催化材料的合成 | 第23-25页 |
2.3.1 原位合成法合成 TNCoPc/SnO_2/TiO_2纳米复合材料 | 第23-24页 |
2.3.2 原位合成法合成的四种 ArO-CoPc/SnO_2/TiO_2纳米复合材料 | 第24页 |
2.3.3 四种取代酞菁的合成 | 第24-25页 |
2.4 纳米复合材料的结构表征及分析方法 | 第25-26页 |
2.4.1 紫外可见吸收光谱 | 第25页 |
2.4.2 红外光谱 | 第25页 |
2.4.3 X 射线衍射分析 | 第25-26页 |
2.4.4 热重分析 | 第26页 |
2.5 光催化活性的研究 | 第26-28页 |
2.5.1 降解目标的选择 | 第26页 |
2.5.2 光催化的反应装置 | 第26页 |
2.5.3 光催化活性的表征 | 第26-27页 |
2.5.4 空白实验 | 第27页 |
2.5.5 黑暗实验 | 第27页 |
2.5.6 稳定性实验 | 第27-28页 |
3 结果与讨论 | 第28-46页 |
3.1 纳米 SNO_2粉体表征及分析 | 第28-30页 |
3.1.1 纳米 SnO_2粉体红外分析 | 第28页 |
3.1.2 SnO_2粉体的 XRD 分析 | 第28-29页 |
3.1.3 SnO_2粉体可见光光催化效率 | 第29-30页 |
3.2 纳米 TIO_2粉体表征及分析 | 第30-31页 |
3.2.1 TiO_2粉体的 XRD 分析 | 第30页 |
3.2.2 可见光催化活性的分析 | 第30-31页 |
3.3 纳米 SNO_2/TIO_2复合材料表征及分析 | 第31-32页 |
3.3.1 纳米 SnO_2/TiO_2复合材料的 XRD 分析 | 第31-32页 |
3.3.2 可见光催化活性的分析 | 第32页 |
3.4 不同摩尔配比 TNPCCO/SNO_2/TIO_2表征 | 第32-38页 |
3.4.1 TNPcCo/SnO_2/TiO_2紫外可见吸收光谱分析 | 第32-34页 |
3.4.2 TNPcCo/SnO_2/TiO_2红外光谱分析 | 第34-35页 |
3.4.3 XRD 分析 | 第35-36页 |
3.4.4 热重分析 | 第36页 |
3.4.5 可见光催化活性的分析 | 第36-37页 |
3.4.6 光催化稳定性分析 | 第37-38页 |
3.5 四种纳米复合材料 ARO-COPC/SNO_2/TIO_2的表征及其可见光光催化效率 | 第38-46页 |
3.5.1 四种复合材料的紫外可见吸收光谱分析 | 第38-39页 |
3.5.2 四种复合材料的红外吸收光谱分析 | 第39-42页 |
3.5.3 四种复合材料的 XRD 分析 | 第42-44页 |
3.5.4 四种复合材料的热分析 | 第44页 |
3.5.5 四种复合材料的可见光光催化效率 | 第44-46页 |
结论 | 第46-47页 |
参考文献 | 第47-51页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第51-52页 |
致谢 | 第52-53页 |