| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第13-27页 |
| 1.1 太赫兹波与太赫兹技术 | 第13-15页 |
| 1.2 太赫兹发射器 | 第15-19页 |
| 1.2.1 基于脉冲激光的太赫兹发射器 | 第15-16页 |
| 1.2.2 光混频器 | 第16-17页 |
| 1.2.3 白由电子激光器 | 第17-18页 |
| 1.2.4 量子级联激光器 | 第18页 |
| 1.2.5 气体激光器 | 第18页 |
| 1.2.6 耿氏二极管 | 第18-19页 |
| 1.3 太赫兹探测器 | 第19-27页 |
| 1.3.1 时域系统 | 第19-20页 |
| 1.3.2 测辐射热计 | 第20页 |
| 1.3.3 高莱探测器 | 第20页 |
| 1.3.4 白开关二极管 | 第20-27页 |
| 第二章 物理背景与实验技术 | 第27-42页 |
| 2.1 半导体异质结 | 第27-28页 |
| 2.2 二维电子气 | 第28-31页 |
| 2.3 金属半导体接触 | 第31-36页 |
| 2.3.1 能带图与金属半导体界面势垒 | 第32-34页 |
| 2.3.2 接触电阻率 | 第34-35页 |
| 2.3.3 传输线法 | 第35-36页 |
| 2.4 微纳加工制造技术 | 第36-39页 |
| 2.4.1 电子束曝光技术 | 第36-38页 |
| 2.4.2 干法刻蚀技术 | 第38-39页 |
| 2.5 半导体表征技术 | 第39-40页 |
| 2.6 高频测试技术 | 第40-42页 |
| 第三章 基于SiC衬底生长AlGaN/GaN材料的特性研究 | 第42-46页 |
| 3.1 基于SiC衬底AlGaN/GaN材料的结构 | 第42页 |
| 3.2 基于SiC衬底AlGaN/GaN材料的性能测试 | 第42-45页 |
| 3.2.1 基于SiC衬底AlGaN/GaN材料的透过率测试结果 | 第43页 |
| 3.2.2 基于SiC衬底AlGaN/GaN材料的XRD测试结果 | 第43-44页 |
| 3.2.3 基于SiC衬底AlGaN/GaN材料的SEM测试结果 | 第44-45页 |
| 3.3 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 基于AlGaN/GaN的自开关二极管制备及特性研究 | 第46-67页 |
| 4.1 基于SiC衬底AlGaN/GaN SSD的制造流程 | 第46-51页 |
| 4.2 基于SiC衬底AlGaN/GaN SSD的I-V特性 | 第51-55页 |
| 4.3 基于SiC衬底AlGaN/GaN SSD的高频响应特性 | 第55-63页 |
| 4.3.1 沟道宽度对SSD高频特性的影响 | 第58-62页 |
| 4.3.2 沟道长度对SSD高频特性的影响 | 第62-63页 |
| 4.4 基于SiC衬底AlGaN/GaN SSD的输入功率与输出电压特性 | 第63-65页 |
| 4.5 本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 5.1 总结 | 第67页 |
| 5.2 展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第74页 |
