射频LDMOS功率晶体管的结构设计与实验研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-11页 |
| 1.2 研究意义 | 第11页 |
| 1.3 本论文的主要工作 | 第11-13页 |
| 第二章 射频LDMOS器件结构与基本特性 | 第13-24页 |
| 2.1 射频LDMOS器件结构 | 第13-17页 |
| 2.2 射频LDMOS器件基本特性 | 第17-23页 |
| 2.2.1 击穿特性 | 第17-19页 |
| 2.2.2 输出特性 | 第19-20页 |
| 2.2.3 跨导特性 | 第20页 |
| 2.2.4 电容特性 | 第20-23页 |
| 2.2.5 频率特性 | 第23页 |
| 2.3 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 射频LDMOS晶体管工艺与结构优化设计 | 第24-47页 |
| 3.1 器件结构设计 | 第24-25页 |
| 3.2 器件工艺流程设计 | 第25-27页 |
| 3.3 器件结构参数优化设计 | 第27-46页 |
| 3.3.1 多晶硅栅优化 | 第27-31页 |
| 3.3.2 Pbase区注入剂量优化 | 第31-35页 |
| 3.3.3 LDD区长度优化 | 第35-38页 |
| 3.3.4 LDD区注入剂量优化 | 第38-44页 |
| 3.3.5 场板长度优化 | 第44-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 射频LDMOS晶体管实验与测试结果 | 第47-61页 |
| 4.1 流片实验 | 第47-49页 |
| 4.2 实验测试结果 | 第49-59页 |
| 4.2.1 直流特性测试 | 第49-54页 |
| 4.2.2 交流小信号测试 | 第54-58页 |
| 4.2.3 功率测试 | 第58-59页 |
| 4.3 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第67-68页 |
