| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 前言 | 第12-13页 |
| 1.2 WO_3概述 | 第13-17页 |
| 1.2.1 WO_3晶体结构 | 第13-14页 |
| 1.2.2 WO_3的性质及应用 | 第14-17页 |
| 1.3 半导体光催化技术 | 第17-24页 |
| 1.3.1 半导体光催化原理 | 第17-19页 |
| 1.3.2 半导体光催化性能的影响因素 | 第19-22页 |
| 1.3.3 半导体光催化改性技术 | 第22-24页 |
| 1.4 选题依据、研究意义和主要内容 | 第24-26页 |
| 1.4.1 本文的选题依据和研究意义 | 第24-25页 |
| 1.4.2 本文主要内容 | 第25-26页 |
| 第二章 实验材料及表征方法 | 第26-34页 |
| 2.1 实验方法及基本方案 | 第26-27页 |
| 2.1.1 WO_3纳米材料的制备方法 | 第26页 |
| 2.1.2 光催化降解实验 | 第26-27页 |
| 2.2 试验原料及仪器设备 | 第27-29页 |
| 2.2.1 主要实验试剂 | 第27-28页 |
| 2.2.2 主要实验仪器 | 第28-29页 |
| 2.3 结构与性能表征方法 | 第29-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 光催化剂WO_3的合成及性能测试 | 第34-42页 |
| 3.1 前言 | 第34页 |
| 3.2 实验方法及过程 | 第34-35页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第35-40页 |
| 3.3.1 SEM分析 | 第35-36页 |
| 3.3.2 XRD分析 | 第36-37页 |
| 3.3.3 DRS分析 | 第37-38页 |
| 3.3.4 光催化性能分析 | 第38-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 WO_3/MoS_2复合半导体的制备及光催化性能 | 第42-58页 |
| 4.1 前言 | 第42-43页 |
| 4.2 实验方法及过程 | 第43页 |
| 4.3 样品表征及结果讨论 | 第43-47页 |
| 4.3.1 SEM分析 | 第43-44页 |
| 4.3.2 XRD和Raman分析 | 第44-45页 |
| 4.3.3 样品的比表面分析 | 第45-46页 |
| 4.3.4 DRS分析 | 第46-47页 |
| 4.4 光催化性能分析 | 第47-53页 |
| 4.4.1 MoS_2的负载量对WO_3/MoS_2光催化的影响 | 第47-49页 |
| 4.4.2 溶液pH值对WO_3/MoS_2光催化的影响 | 第49-51页 |
| 4.4.3 不同催化剂光催化性能对比及动力学曲线 | 第51-52页 |
| 4.4.4 复合半导体WO_3/MoS_2的光催化稳定性 | 第52-53页 |
| 4.5 电化学性能测试 | 第53-55页 |
| 4.6 本章小结 | 第55-58页 |
| 第五章 Z型体系WO_3/MoS_2-rGO的制备及光催化性能研究 | 第58-72页 |
| 5.1 前言 | 第58页 |
| 5.2 实验方法及过程 | 第58-60页 |
| 5.3 样品表征及结果讨论 | 第60-63页 |
| 5.3.1 SEM分析 | 第60页 |
| 5.3.2 XRD和Raman分析 | 第60-61页 |
| 5.3.3 XPS谱分析 | 第61-62页 |
| 5.3.4 DRS和VBXPS分析 | 第62-63页 |
| 5.4 光催化性能分析 | 第63-68页 |
| 5.4.1 MoS_2-rGO负载量对WO_3/MoS_2-rGO光催化的影响 | 第63-64页 |
| 5.4.2 溶液pH值对WO_3/MoS_2-rGO光催化的影响 | 第64-65页 |
| 5.4.3 不同催化剂浓度对WO_3/MoS_2-rGO光催化的影响 | 第65-66页 |
| 5.4.4 不同催化剂的光催化活性对比及动力学曲线 | 第66-67页 |
| 5.4.5 复合半导体WO_3/MoS_2-rGO的光催化稳定性 | 第67-68页 |
| 5.5 WO_3/MoS_2-rGO光催化机理分析 | 第68-71页 |
| 5.6 本章小结 | 第71-72页 |
| 第六章 总结与展望 | 第72-76页 |
| 6.1 全文总结 | 第72-73页 |
| 6.2 展望 | 第73-76页 |
| 参考文献 | 第76-84页 |
| 致谢 | 第84-86页 |
| 攻读硕士期间发表的论文及获得的成果 | 第86页 |
