| 中文摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-27页 |
| 1.1 前言 | 第9页 |
| 1.2 Ga_2O_3材料概述 | 第9-12页 |
| 1.3 Ga_2O_3的应用与制备研究现状 | 第12-20页 |
| 1.3.1 Ga_2O_3应用的研究现状 | 第12-15页 |
| 1.3.2 Ga_2O_3的制备方法 | 第15-18页 |
| 1.3.3 Ga_2O_3晶型调控的国内外研究现状 | 第18-20页 |
| 1.4 微波技术在合成纳米材料中的研究进展 | 第20-25页 |
| 1.4.1 微波特性及其加热原理 | 第21-23页 |
| 1.4.2 微波合成法制备纳米材料的应用 | 第23-25页 |
| 1.5 本课题的研究内容 | 第25-27页 |
| 第2章 实验材料与表征方法 | 第27-35页 |
| 2.1 实验材料 | 第27-28页 |
| 2.1.1 实验仪器 | 第27-28页 |
| 2.1.2 实验试剂 | 第28页 |
| 2.2 表征方法 | 第28-31页 |
| 2.2.1 X射线衍射光谱(XRD) | 第28-29页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜(TEM) | 第29页 |
| 2.2.3 紫外-可见漫反射光谱(UV-visDRS) | 第29-30页 |
| 2.2.4 荧光光谱(PL) | 第30页 |
| 2.2.5 N_2吸附-脱附等温线(BET) | 第30页 |
| 2.2.6 紫外-可见吸收光谱(UV-Vis) | 第30-31页 |
| 2.3 催化性能评价 | 第31-35页 |
| 2.3.1 光催化反应的实验方法 | 第31-33页 |
| 2.3.2 光催化实验装置 | 第33-35页 |
| 第3章 α-和β-Ga_2O_3的制备及其性能的研究 | 第35-48页 |
| 3.1 引言 | 第35-36页 |
| 3.2 实验部分 | 第36-37页 |
| 3.2.1 GaOOH前驱体的制备 | 第36页 |
| 3.2.2 α-和β-Ga_2O_3的制备 | 第36页 |
| 3.2.3 α-和β-Ga_2O_3的光催化性能测试 | 第36-37页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第37-46页 |
| 3.3.1 X射线衍射分析(XRD) | 第37-38页 |
| 3.3.2 透射电镜分析(TEM) | 第38-40页 |
| 3.3.3 紫外-可见吸收光谱分析(UV-vis) | 第40-41页 |
| 3.3.4 荧光光谱分析(PL) | 第41-42页 |
| 3.3.5 N2吸附-脱附等温线分析(BET) | 第42-44页 |
| 3.3.6 光催化性能研究 | 第44-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 第4章 超细γ-Ga_2O_3及β-Ga_2O_3的制备及其性能研究 | 第48-68页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 实验部分 | 第48-51页 |
| 4.2.1 超细γ-Ga_2O_3纳米晶的制备 | 第48-51页 |
| 4.2.2 超细γ-Ga_2O_3纳米晶的光催化性能评价 | 第51页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第51-66页 |
| 4.3.1 X射线衍射分析(XRD) | 第51-58页 |
| 4.3.2 透射电镜分析(TEM) | 第58-59页 |
| 4.3.3 紫外-可见吸收光谱分析(UV-vis) | 第59-60页 |
| 4.3.4 荧光光谱分析(PL) | 第60-61页 |
| 4.3.5 N2吸附-脱附等温线分析(BET) | 第61-63页 |
| 4.3.6 光催化性能研究 | 第63-66页 |
| 4.4 本章小结 | 第66-68页 |
| 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-78页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
