| 摘要 | 第8-10页 |
| Abstract | 第10-11页 |
| 第1章 绪论 | 第12-20页 |
| 1.1 Si_3N_4材料的发展历程 | 第12-13页 |
| 1.2 Si_3N_4材料的用途 | 第13-16页 |
| 1.2.1 Si_3N_4在微电子、光电子等半导体领域的应用 | 第13页 |
| 1.2.2 Si_3N_4在多种工业领域的应用 | 第13-14页 |
| 1.2.3 Si_3N_4薄膜材料在微电子领域中的应用 | 第14-15页 |
| 1.2.4 Si_3N_4薄膜材料在光电子领域中的应用 | 第15-16页 |
| 1.3 Si_3N_4的种类及结构 | 第16-17页 |
| 1.4 Si_3N_4的第一性原理研究现状 | 第17-18页 |
| 1.5 本文的研究目的与主要内容 | 第18-20页 |
| 1.5.1 本文的研究目的 | 第18-19页 |
| 1.5.2 本文的主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第2章 第一性原理基础理论与方法 | 第20-26页 |
| 2.1 多电子体系的薛定谔方程 | 第20-21页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第21页 |
| 2.3 局域密度近似和广义梯度近似 | 第21-22页 |
| 2.4 物理量介绍 | 第22-25页 |
| 2.4.1 能带结构 | 第22-23页 |
| 2.4.2 态密度 | 第23-24页 |
| 2.4.3 差分电荷密度 | 第24页 |
| 2.4.4 光学性质 | 第24-25页 |
| 2.5 MaterialsStudio软件包 | 第25-26页 |
| 第3章 第Ⅳ主族元素掺杂β-Si_3N_4体系的电子结构和光学性能 | 第26-43页 |
| 3.1 引言 | 第26-27页 |
| 3.2 计算细节 | 第27-28页 |
| 3.2.1 建立理论模型 | 第27页 |
| 3.2.2 计算方法 | 第27-28页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第28-34页 |
| 3.3.1 晶体结构 | 第28-29页 |
| 3.3.2 电子结构 | 第29-32页 |
| 3.3.3 电荷分布 | 第32-34页 |
| 3.4 光学性能 | 第34-42页 |
| 3.4.1 介电常数 | 第35-37页 |
| 3.4.2 吸收谱 | 第37-38页 |
| 3.4.3 反射谱 | 第38-40页 |
| 3.4.4 能量损失谱 | 第40-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 第Ⅲ、Ⅴ主族元素掺杂β-Si_3N_4体系的电子结构和光学性能 | 第43-65页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 计算方法与模型 | 第43-44页 |
| 4.2.1 模型建立 | 第43-44页 |
| 4.2.2 计算方法 | 第44页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第44-54页 |
| 4.3.1 晶体结构 | 第44-46页 |
| 4.3.2 电子结构 | 第46-50页 |
| 4.3.3 电荷分布 | 第50-54页 |
| 4.4 光学性能 | 第54-63页 |
| 4.4.1 介电常数 | 第54-57页 |
| 4.4.2 吸收谱和反射谱 | 第57-61页 |
| 4.4.3 能量损失谱 | 第61-63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-65页 |
| 第5章 β-Si_3N_4(200)表面吸附3d过渡金属原子体系的电子结构和光学性能 | 第65-87页 |
| 5.1 引言 | 第65页 |
| 5.2 计算方法 | 第65-67页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第67-76页 |
| 5.3.1 吸附结构 | 第67-70页 |
| 5.3.2 电子结构 | 第70-74页 |
| 5.3.3 电子密度 | 第74-76页 |
| 5.4 光学性能 | 第76-86页 |
| 5.4.1 介电常数 | 第76-79页 |
| 5.4.2 吸收谱和反射谱 | 第79-84页 |
| 5.4.3 能量损失谱 | 第84-86页 |
| 5.5 本章小结 | 第86-87页 |
| 结论与展望 | 第87-89页 |
| 参考文献 | 第89-95页 |
| 致谢 | 第95-96页 |
| 附录A 攻读学位期间取得的研究成果 | 第96页 |
