| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 本文所研究的电磁输运现象 | 第10-11页 |
| 1.1.1 巨大的磁电阻效应 | 第10页 |
| 1.1.2 磁场和温度诱导下的相变 | 第10-11页 |
| 1.2 研究的单晶材料 | 第11-18页 |
| 1.2.1 Cu_2TIX_2(X=Se, Te) | 第11-13页 |
| 1.2.2 ZrSiS | 第13-14页 |
| 1.2.3 HfTe_5 | 第14-16页 |
| 1.2.4 MoTe_2 | 第16-18页 |
| 1.3 本论文的出发点和研究内容 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-21页 |
| 第二章 载流子模型的理论分析 | 第21-27页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 单载流子模型 | 第21-22页 |
| 2.3 双载流子模型 | 第22-24页 |
| 2.3.1 电子、空穴迁移率相近时 | 第22-23页 |
| 2.3.2 电子、空穴浓度相近 | 第23-24页 |
| 2.4 数据处理 | 第24-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-27页 |
| 第三章 几个单晶材料的磁电性质研究 | 第27-44页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 Cu_2TlX_2:能带结构与载流子关系 | 第27-30页 |
| 3.3 ZrSiS:双载流子共存引发的巨大磁阻 | 第30-36页 |
| 3.4 HfTe_5:缺陷对载流子的影响 | 第36-39页 |
| 3.5 MoTe_2:载流子模型与SdH震荡 | 第39-41页 |
| 3.6 本章小结 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |
| 第四章 总结与展望 | 第44-45页 |
| 4.1 总结 | 第44页 |
| 4.2 展望 | 第44-45页 |
| 附录 | 第45-47页 |
| 附录一: 双载流子模型拟合磁阻和霍尔电阻mathmatica程序 | 第45页 |
| 附录二: 快速傅里叶变换程序matlab程序 | 第45-47页 |
| 攻读硕士学位期间已发表的论文 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |