| 摘要 | 第3-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-39页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 存储器简介 | 第10-13页 |
| 1.2.1 传统闪存存储器简介 | 第10页 |
| 1.2.2 四种新型非易失性存储器 | 第10-13页 |
| 1.3 阻变式随机存储器(RRAM) | 第13-32页 |
| 1.3.1 RRAM器件单元与集成结构简介 | 第14-15页 |
| 1.3.2 RRAM器件阻变类型与工作机理 | 第15-27页 |
| 1.3.3 RRAM器件性能指标与研究现状 | 第27-32页 |
| 1.4 本论文的选题依据与研究内容 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-39页 |
| 第二章 薄膜缺陷浓度调制及其阻变效应研究 | 第39-66页 |
| 2.1 Pt/TaO_x/ITO器件制备与表征 | 第39-40页 |
| 2.2 氧分压调制缺陷浓度及阻变特性机制分析 | 第40-46页 |
| 2.2.1 引言 | 第40-41页 |
| 2.2.2 氧分压调控对器件形成过程影响 | 第41页 |
| 2.2.3 氧分压调控对器件阻变特性影响 | 第41-43页 |
| 2.2.4 参数依赖关系探究导电细丝通断机理 | 第43-45页 |
| 2.2.5 氧分压调控对器件均一性影响及电流过冲效应研究 | 第45-46页 |
| 2.3 Gd掺杂调制缺陷浓度及阻变性能影响研究 | 第46-61页 |
| 2.3.1 引言 | 第46-47页 |
| 2.3.2 Gd掺杂对阻变I-V特性影响 | 第47-48页 |
| 2.3.3 器件阻变层厚度优化与电极尺寸选择 | 第48-50页 |
| 2.3.4 XPS谱探究Gd掺杂缺陷调控效应 | 第50-52页 |
| 2.3.5 Gd掺杂对器件性能影响分析 | 第52-60页 |
| 2.3.6 超低功耗运行阻变参数波动性探究 | 第60-61页 |
| 2.4 本章小节 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 第三章 薄膜缺陷分布调制及阻变可控性研究 | 第66-98页 |
| 3.1 引言 | 第66-68页 |
| 3.2 理论计算与实验验证Si掺杂效应 | 第68-83页 |
| 3.2.1 第一性原理计算Si掺杂对缺陷形成能与迁移势垒影响 | 第68-75页 |
| 3.2.2 实验验证Si掺杂对薄膜缺陷形成与迁移势垒影响 | 第75-79页 |
| 3.2.3 C-AFM直观表征Si掺杂对通道局域化影响 | 第79-83页 |
| 3.3 Ta_2O_(5-x)/Ta_2O_(5-x):Si双层结构器件阻变可控性—电学性能表征 | 第83-87页 |
| 3.3.1 Si掺杂厚度对双层器件形成过程影响 | 第83-84页 |
| 3.3.2 Si掺杂厚度对双层器件参数均一性影响 | 第84-86页 |
| 3.3.3 优化双层器件电学性能表征 | 第86-87页 |
| 3.4 Ta_2O_(5-x)/Ta_2O_(5-x):Si双层结构器件阻变可控性—直观表征 | 第87-94页 |
| 3.4.1 C-AFM直观表征局域化“尖锥形”导电通道构建 | 第87-91页 |
| 3.4.2 TEM直观表征导电通道的局域化转变过程 | 第91-94页 |
| 3.5 本章小节 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-98页 |
| 第四章 薄膜缺陷含量调控及互补型器件机理研究 | 第98-112页 |
| 4.1 引言 | 第98-99页 |
| 4.2 Au/TaO_x/ITO互补型器件构筑 | 第99-105页 |
| 4.2.1 互补型器件产生条件探究 | 第99-101页 |
| 4.2.2 Au/TaO_x/ITO互补型器件构筑及机制分析 | 第101-105页 |
| 4.3 互补型器件缺陷含量与场效应依赖关系研究 | 第105-108页 |
| 4.3.1 薄膜厚度调控缺陷含量及场效应研究 | 第105-107页 |
| 4.3.2 初始化过程调控缺陷含量及场效应研究 | 第107-108页 |
| 4.4 本章小节 | 第108-110页 |
| 参考文献 | 第110-112页 |
| 第五章 总结与展望 | 第112-114页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第112-113页 |
| 5.2 问题与展望 | 第113-114页 |
| 致谢 | 第114-115页 |
| 在学期间公开发表论文及参加学术会议情况 | 第115页 |
