| 中文摘要 | 第3-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 引言 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-39页 |
| 1.1 新型非易失性存储器—阻变随机存储器(ReRAM) | 第11-17页 |
| 1.1.1 阻变式随机存储器材料体系和制备方法 | 第11-13页 |
| 1.1.2 阻变式随机存储器物理机制 | 第13-16页 |
| 1.1.3 阻变式随机存储器参数及其可靠性 | 第16-17页 |
| 1.2 碳基材料在阻变存储器的应用研究进展 | 第17-25页 |
| 1.3 非晶碳材料简介 | 第25-27页 |
| 1.4 本论文选题内容与研究意义 | 第27-30页 |
| 参考文献 | 第30-39页 |
| 第二章 a-C:N薄膜退火工艺制备多孔结构调控导电通道形貌 | 第39-57页 |
| 2.1 简述 | 第39页 |
| 2.2 传统非晶碳基阻变存储器单元可靠性问题探究 | 第39-43页 |
| 2.2.1 引言 | 第39-40页 |
| 2.2.2 非晶碳基阻变器件制备工艺过程 | 第40页 |
| 2.2.3 非晶碳基阻变器件可靠性问题探究 | 第40-43页 |
| 2.3 多孔非晶碳薄膜调控导电通道几何形貌 | 第43-51页 |
| 2.3.1 引言 | 第43-44页 |
| 2.3.2 孔洞尺寸可调的非晶碳薄膜制备与表征 | 第44-46页 |
| 2.3.3 多孔非晶碳阻变存储器阻变行为研究 | 第46-47页 |
| 2.3.4 双层多孔结构非晶碳阻变器件制备与性能研究 | 第47-51页 |
| 2.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 第三章 非晶碳石墨化工艺调控局域电场提升转变性能 | 第57-83页 |
| 3.1 引言 | 第57页 |
| 3.2 山峰状石墨化碳(MGSC)插层促进阻变存储器转变性能 | 第57-69页 |
| 3.2.1 非晶碳薄膜材料低温石墨化的调控研究 | 第57-60页 |
| 3.2.2 山峰状石墨化碳(MSGC)插层的应用促进阻变存储器可靠性 | 第60-69页 |
| 3.3 非晶碳薄膜sp~2团簇尺寸调控促进阻变单元均一性及其抗干扰应用 | 第69-76页 |
| 3.3.1 非晶碳薄膜材料sp~2团簇尺寸调控研究 | 第70-71页 |
| 3.3.2 sp~2团簇尺寸对非晶碳阻变器件性能影响研究 | 第71-76页 |
| 3.4 本章小结 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-83页 |
| 第四章 非晶碳薄膜含氧碳键纵向梯度调控实现自生电读取阻变存储器 | 第83-101页 |
| 4.1 引言 | 第83页 |
| 4.2 非晶碳薄膜氧等离子处理特性研究 | 第83-88页 |
| 4.3 W/aC-TWOP/Pt器件单元构筑实现自生电读取阻变存储器 | 第88-95页 |
| 4.3.1 W/aC-TWOP/Pt器件制备与材料表征 | 第88-91页 |
| 4.3.2 W/aC-TWOP/Pt器件电化学特性研究 | 第91-95页 |
| 4.4 本章小结 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-101页 |
| 第五章 总结与展望 | 第101-103页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第101-102页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第102-103页 |
| 致谢 | 第103-104页 |
| 在学期间公开发表论文及参加学术会议情况 | 第104页 |
