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强激光辐照下熔石英与KDP晶体的缺陷诱导损伤行为及机制研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-9页
第1章 绪论第13-35页
    1.1 惯性约束聚变概述第13-14页
    1.2 高功率固体激光装置概述第14-16页
    1.3 高功率固体激光装置面临的紫外激光损伤挑战第16-32页
        1.3.1 熔石英元件表面所面临的紫外激光损伤问题第17-24页
        1.3.2 熔石英材料所面临的紫外激光损伤问题第24-26页
        1.3.3 KDP晶体所面临的紫外激光损伤问题第26-32页
    1.4 论文的研究内容和意义第32页
    1.5 本论文工作第32-35页
第2章 不同工艺条件下熔石英元件表面缺陷的分类表征第35-57页
    2.1 概述第35-36页
    2.2 熔石英材料表面加工及后处理工艺简介第36-39页
        2.2.1 表面精密机械抛光技术第36-37页
        2.2.2 磁流变抛光技术第37-38页
        2.2.3 表面动态化学刻蚀技术第38-39页
    2.3 样品制备第39-40页
    2.4 不同工艺条件下熔石英表面缺陷的分类表征第40-54页
        2.4.1 亚表面杂质元素成分及含量检测分析第40-47页
        2.4.2 亚表面荧光缺陷的表征分析第47-50页
        2.4.3 亚表面光热吸收性缺陷的表征分析第50-52页
        2.4.4 结构性缺陷的测试分析第52-54页
    2.5 本章小结第54-57页
第3章 熔石英表面吸收性缺陷与激光诱导损伤的相关性研究第57-73页
    3.1 引言第57-58页
    3.2 不同表面工艺熔石英样品的抗激光损伤性能测试第58-63页
        3.2.1 光学元件抗激光损伤性能测试方法简介第58-59页
        3.2.2 不同表面工艺熔石英样品的抗激光损伤性能测试结果第59-63页
    3.3 样品表面吸收性缺陷分布水平的定量表征第63-65页
        3.3.1 激光诱导荧光缺陷的定量表征结果第63-64页
        3.3.2 光热弱吸收缺陷的定量表征结果第64-65页
    3.4 吸收性缺陷与抗激光损伤之间的定量相关性分析第65-72页
        3.4.1 吸收性缺陷与熔石英表面零概率损伤阈值之间的关联关系第67-68页
        3.4.2 吸收性缺陷与熔石英表面损伤密度之间的关联关系第68-72页
    3.5 结论第72-73页
第4章 熔石英材料的缺陷诱导损伤行为机制研究第73-87页
    4.1 概述第73页
    4.2 样品概况及激光诱导体损伤阈值测试第73-78页
    4.3 熔石英材料缺陷的表征与分析第78-82页
        4.3.1 体内气泡分布第78-79页
        4.3.2 体内羟基含量第79-80页
        4.3.3 体内金属杂质含量第80-81页
        4.3.4 材料的紫外激光(355 nm)弱吸收第81-82页
    4.4 分析与讨论第82-85页
    4.5 本章小结第85-87页
第5章 KDP晶体的缺陷诱导损伤行为机制研究第87-115页
    5.1 概述第87页
    5.2 KDP晶体的激光诱导损伤行为第87-96页
        5.2.1 KDP晶体样品准备第87-88页
        5.2.2 KDP晶体激光诱导损伤行为的基本测试条件第88页
        5.2.3 紫外脉冲激光作用下KDP晶体的初始损伤特性第88-94页
        5.2.4 紫外脉冲激光作用下KDP晶体的损伤增长特性第94-96页
    5.3 不同生长工艺及热退火条件下KDP晶体的缺陷诱导损伤机制第96-107页
        5.3.1 研究所需的KDP晶体样品准备第96-97页
        5.3.2 激光损伤阈值测试结果第97-99页
        5.3.3 KDP晶体样品的缺陷及材料物化特性表征第99-107页
    5.4 激光预处理对KDP晶体损伤特性的影响第107-114页
        5.4.1 研究所需的KDP晶体样品准备第107-108页
        5.4.2 五块预处理样品的抗激光损伤性能测试第108-109页
        5.4.3 激光预处理对KDP晶体空位缺陷的影响第109-111页
        5.4.4 激光预处理对KDP晶体紫外弱吸收特性的影响第111-114页
    5.5 本章小结第114-115页
第6章 总结与展望第115-119页
    6.1 全文总结第115-117页
    6.2 创新点第117页
    6.3 展望第117-119页
参考文献第119-129页
致谢第129-131页
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果第131页

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