超导储能脉冲系统中IGBT应用研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| ·超导电性与超导体 | 第10-13页 |
| ·超导电性 | 第10-11页 |
| ·超导磁体及应用 | 第11-13页 |
| ·超导储能脉冲技术与研究现状 | 第13-15页 |
| ·断路开关技术与研究现状 | 第15-19页 |
| ·本论文的研究内容与章节安排 | 第19-21页 |
| ·研究内容 | 第19-20页 |
| ·章节安排 | 第20-21页 |
| 第2章 电力电子器件选择与性能分析 | 第21-34页 |
| ·常用电力电子器件性能分析 | 第21-31页 |
| ·SCR、GTO、IGCT特性及优缺点 | 第21-22页 |
| ·电力晶体管GTR性能分析 | 第22-25页 |
| ·功率场效应管MOSFET性能分析 | 第25-28页 |
| ·绝缘栅双极型晶体管IGBT性能分析 | 第28-31页 |
| ·新型电力电子器件性能分析 | 第31-32页 |
| ·选择IGBT的原因与需研究的内容 | 第32-34页 |
| 第3章 功率IGBT的驱动与保护电路研究 | 第34-45页 |
| ·IGBT驱动电路研究 | 第34-42页 |
| ·驱动电路基本要求 | 第34页 |
| ·栅极驱动功率 | 第34-35页 |
| ·栅极电阻 | 第35-36页 |
| ·驱动电路应满足的条件 | 第36-37页 |
| ·驱动电路设计 | 第37-42页 |
| ·IGBT保护电路研究 | 第42-45页 |
| ·过压保护 | 第42-44页 |
| ·过流保护 | 第44页 |
| ·过热保护 | 第44-45页 |
| 第4章 IGBT并联均流技术研究 | 第45-54页 |
| ·并联均流技术研究意义 | 第45页 |
| ·并联不均流原因分析 | 第45-48页 |
| ·并联静态不均流原因分析 | 第45-47页 |
| ·并联动态不均流原因分析 | 第47-48页 |
| ·并联均流措施研究 | 第48-52页 |
| ·构建并联电路基本要求 | 第48页 |
| ·并联静态均流措施与实验研究 | 第48-50页 |
| ·并联动态均流措施与实验研究 | 第50-52页 |
| ·多模块同步驱动技术研究 | 第52-54页 |
| 第5章 IGBT串联均压技术研究 | 第54-66页 |
| ·串联均压技术研究意义 | 第54-55页 |
| ·串联静态不均压原因与措施研究 | 第55-57页 |
| ·静态不均压原因分析 | 第55-56页 |
| ·静态均压措施研究 | 第56-57页 |
| ·串联动态不均压原因与措施研究 | 第57-66页 |
| ·动态不均压原因分析 | 第57页 |
| ·动态均压措施研究 | 第57-60页 |
| ·混合型动态均压电路设计 | 第60-66页 |
| 结论 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及科研成果 | 第73-74页 |
