| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 引言 | 第9-15页 |
| 1.1 聚变能 | 第9页 |
| 1.2 受控核聚变 | 第9-11页 |
| 1.3 材料辐照效应 | 第11-13页 |
| 1.4 结构材料 | 第13-14页 |
| 1.5 本论文的主要内容 | 第14-15页 |
| 第二章 理论计算基础和软件包介绍 | 第15-30页 |
| 2.1 理论计算基础 | 第15-28页 |
| 2.1.1 第一性原理(First Principle) | 第15页 |
| 2.1.2 近似处理方法 | 第15-20页 |
| 2.1.2.1 Born-Oppenheimer(绝热近似) | 第16-17页 |
| 2.1.2.2 Hartree-Fock近似 | 第17-20页 |
| 2.1.3 密度泛函理论(Density functional theory,DFT) | 第20-24页 |
| 2.1.3.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第20-22页 |
| 2.1.3.2 Kohn-Sham方程 | 第22-23页 |
| 2.1.3.3 交换关联能 | 第23-24页 |
| 2.1.3.3.1 局域密度近似 | 第23-24页 |
| 2.1.3.3.2 广义梯度近似 | 第24页 |
| 2.1.4 能带理论 | 第24-28页 |
| 2.1.4.1 Bloch定理 | 第24-25页 |
| 2.1.4.2 平面波赝势 | 第25-28页 |
| 2.1.4.2.1 模守恒赝势 | 第26-27页 |
| 2.1.4.2.2 超软赝势(USPP) | 第27页 |
| 2.1.4.2.3 投影缀加平面波赝势 | 第27-28页 |
| 2.2 计算软件 | 第28-29页 |
| 2.2.1 Material Studio-CASTEP介绍 | 第28页 |
| 2.2.2 VASP介绍 | 第28-29页 |
| 2.2.3 两种软件对比 | 第29页 |
| 2.3 总结 | 第29-30页 |
| 第三章 He对Ti_3SiC_2材料结合性能的影响 | 第30-41页 |
| 3.1 Ti_3SiC_2材料晶体结构以及特性 | 第31页 |
| 3.2 Ti_3SiC_2材料中氦原子的行为 | 第31-38页 |
| 3.2.1 单个He原子的占据位置 | 第31-35页 |
| 3.2.2 单个He原子对材料性能的影响 | 第35-36页 |
| 3.2.3 Ti_3SiC_2材料中的单个氦原子的迁移 | 第36-37页 |
| 3.2.4 Ti_3SiC_2材料中氦原子团簇行为 | 第37-38页 |
| 3.3 Ti_3SiC_2材料中的空位缺陷与氦的相互作用 | 第38-39页 |
| 3.3.1 材料中的空位形成能 | 第38页 |
| 3.3.2 Ti_3SiC_2材料中的空位对氦的捕获 | 第38-39页 |
| 3.4 结论 | 第39-41页 |
| 第四章 H引起的α-Fe材料中空位团各向异性成核 | 第41-53页 |
| 4.1 Bcc-Fe材料中单个空位和单个H的行为 | 第41-44页 |
| 4.1.1 单个H原子在纯Bcc-Fe材料中的占位情况 | 第42-44页 |
| 4.1.2 单个空位在纯Bcc-Fe材料中的行为 | 第44页 |
| 4.2 单空位附近的H-V复合体行为 | 第44-46页 |
| 4.3 空位团各向异性成核 | 第46-52页 |
| 4.3.1 空位团簇的形成 | 第46-47页 |
| 4.3.2 三空位团簇与H的相互作用 | 第47-51页 |
| 4.3.2.1 三空位团簇对单个H的捕获行为 | 第47-49页 |
| 4.3.2.2 三空位团簇对多个H的捕获行为 | 第49-51页 |
| 4.3.3 空位缺陷的演化 | 第51-52页 |
| 4.4 总结 | 第52-53页 |
| 第五章 总结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 在校期间发表论文列表 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
