| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| 1.1 引言 | 第7页 |
| 1.2 GaN材料结构及其基本性质 | 第7-11页 |
| 1.2.1 GaN材料的结构 | 第7-9页 |
| 1.2.2 GaN基本性质 | 第9-11页 |
| 1.3 GaN LED的早期研究 | 第11-12页 |
| 1.4 GaN LED产业化现状及良率研究情况 | 第12-13页 |
| 1.5 本论文的研究意义及目的 | 第13-15页 |
| 1.6 本论文的工作及安排 | 第15-17页 |
| 第二章 氮化物MOCVD生长系统 | 第17-23页 |
| 2.1 氮化物MOCVD类型及各自发展 | 第17-18页 |
| 2.2 本论文GaN LED生长所用的MOCVD设备 | 第18-22页 |
| 2.2.1 气体分配模块 | 第19页 |
| 2.2.2 加热系统 | 第19-21页 |
| 2.2.3 压力控制系统及尾气系统 | 第21页 |
| 2.2.4 控温模式 | 第21-22页 |
| 2.3 MOCVD设备周期性维护及其重要性 | 第22-23页 |
| 第三章 托盘及其处理工艺对良率及工艺重复性影响研究 | 第23-39页 |
| 3.1 MOCVD生长石墨托盘 | 第23-24页 |
| 3.1.1 托盘种类 | 第23-24页 |
| 3.2 托盘选型研究 | 第24-30页 |
| 3.2.1 基础实验 | 第25-27页 |
| 3.2.2 定制改进托盘对比实验 | 第27-30页 |
| 3.2.3 托盘选型方法 | 第30页 |
| 3.3 托盘烘烤工艺研究 | 第30-39页 |
| 3.3.1 托盘烘烤系统 | 第31-32页 |
| 3.3.2 托盘烘烤质量评价 | 第32-34页 |
| 3.3.3 烘烤工艺优化研究 | 第34-37页 |
| 3.3.4 分析总结 | 第37-39页 |
| 第四章 GaN LED生长工艺对良率及工艺重复性的影响研究 | 第39-49页 |
| 4.1 气体分配条件对波长STD的影响 | 第39-43页 |
| 4.2 量子阱降温模式研究 | 第43-49页 |
| 第五章 总结与展望 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
