| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| 1.1 本课题研究的意义及背景 | 第7-8页 |
| 1.2 AlGaInP材料的特性 | 第8-9页 |
| 1.3 AlGaInP材料的生长制备 | 第9-10页 |
| 1.4 本论文研究的主要内容 | 第10-13页 |
| 第二章 AlGaInP高亮度发光二极管特性及制备方法 | 第13-19页 |
| 2.1 发光二极管的工作原理 | 第13页 |
| 2.2 AlGaInP LED的外延层结构 | 第13-14页 |
| 2.3 外量子效率及提高外量子效率的芯片设计 | 第14-16页 |
| 2.3.1 分布布拉格反射层(DBR)结构 | 第14-15页 |
| 2.3.2 透明衬底结构 | 第15页 |
| 2.3.3 表面粗糙化 | 第15-16页 |
| 2.4 制作AlGaInP红光LED的基本步骤 | 第16-18页 |
| 2.4.1 光刻 | 第16-17页 |
| 2.4.2 清洗 | 第17页 |
| 2.4.3 电子束蒸发 | 第17-18页 |
| 2.4.4 PECVD(等离子体增强化学气相沉积) | 第18页 |
| 2.5 本章小结 | 第18-19页 |
| 第三章 AlGaInP LED电极形状的优化 | 第19-29页 |
| 3.1 计算模型及方法 | 第19-20页 |
| 3.2 常见的P型电极 | 第20-21页 |
| 3.3 新电极图形的设计 | 第21-24页 |
| 3.3.1 大功率管芯电极图形设计 | 第21-22页 |
| 3.3.2 小功率管芯电极图形的设计 | 第22-24页 |
| 3.4 大功率芯片电极优化实验 | 第24-26页 |
| 3.4.1 电极图形优化设计 | 第24-25页 |
| 3.4.2 电极优化的大功率红光LED光电特性 | 第25-26页 |
| 3.4.3 大功率芯片电极优化实验结论 | 第26页 |
| 3.5 本章小结 | 第26-29页 |
| 第四章 表面粗化技术 | 第29-37页 |
| 4.1 表面粗化技术介绍 | 第29-31页 |
| 4.2 ICP刻蚀法 | 第31-33页 |
| 4.3 湿法化学腐蚀 | 第33-34页 |
| 4.4 手工研磨法 | 第34页 |
| 4.5 表面粗化的AlGaInP薄膜LED光电特性 | 第34-36页 |
| 4.5.1 表面粗化的AlGaInP薄膜LED的I-V特性 | 第35页 |
| 4.5.2 表面粗化的AlGaInP薄膜LED的P-I特性 | 第35-36页 |
| 4.5.3 表面粗化的AlGaInP薄膜LED的L-I特性 | 第36页 |
| 4.6 本章小结 | 第36-37页 |
| 第五章 粗化表面与加入增透膜的研究 | 第37-45页 |
| 5.1 增透膜的简单原理 | 第37-38页 |
| 5.2 粗化表面+ITO薄膜的研究 | 第38-42页 |
| 5.2.1 IT0透明导电薄膜的结构和光学性能 | 第38-39页 |
| 5.2.2 IT0薄膜的电学性质 | 第39-40页 |
| 5.2.3 IT0薄膜的应用 | 第40-41页 |
| 5.2.4 粗化表面+作为增透膜的IT0薄膜 | 第41-42页 |
| 5.3 粗化表面+SiOxNy薄膜的研究 | 第42-44页 |
| 5.3.1 SiOxNy薄膜简介 | 第42-43页 |
| 5.3.2 粗化表面+作为增透膜的SiO_xN_y薄膜 | 第43-44页 |
| 5.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 总结 | 第45-47页 |
| 致谢 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
