| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 晶体硅异质结太阳电池原理 | 第9-10页 |
| 1.3 国内外研究发展与现状 | 第10-14页 |
| 1.4 晶体硅异质结太阳电池各层薄膜结构与工艺研究 | 第14-17页 |
| 1.4.1 薄膜沉积前硅片清洗 | 第14-15页 |
| 1.4.2 本征硅氢钝化薄层 | 第15页 |
| 1.4.3 掺杂硅基薄膜层 | 第15-16页 |
| 1.4.4 透明导电氧化薄膜层 | 第16-17页 |
| 1.5 本文研究内容及意义 | 第17-18页 |
| 第二章 本征硅氢钝化薄层制备工艺优化 | 第18-37页 |
| 2.1 引言 | 第18-19页 |
| 2.2 实验方法 | 第19-23页 |
| 2.2.1 实验试剂及仪器 | 第19页 |
| 2.2.2 实验过程 | 第19-21页 |
| 2.2.3 实验表征方法 | 第21-23页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第23-36页 |
| 2.3.1 N型单晶硅片表面损伤层处理 | 第23-25页 |
| 2.3.2 RCA溶液清洗n型单晶硅片 | 第25-26页 |
| 2.3.3 本征硅氢非晶(a-Si：H)钝化薄层工艺优化 | 第26-32页 |
| 2.3.4 非晶氧化硅(a-SiOx：H)钝化薄层工艺优化 | 第32-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 掺杂硅基薄膜制备工艺及其电学性能优化 | 第37-45页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 实验方法 | 第37-38页 |
| 3.2.1 实验试剂及仪器 | 第37-38页 |
| 3.2.2 实验过程 | 第38页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第38-43页 |
| 3.3.1 掺硼硅基薄膜电学性能优化 | 第38-41页 |
| 3.3.2 掺磷硅基薄膜电学性能优化 | 第41-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 磁控溅射ITO薄膜工艺及其电学性能研究 | 第45-55页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 实验方法 | 第45-46页 |
| 4.2.1 实验试剂及仪器 | 第45页 |
| 4.2.2 实验过程 | 第45-46页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第46-54页 |
| 4.3.1 晶体硅异质结太阳电池ITO薄膜电学性能优化 | 第46-50页 |
| 4.3.2 晶体硅异质结太阳电池Al电极制备工艺 | 第50-51页 |
| 4.3.3 晶体硅异质结太阳电池ITO薄膜接触测试 | 第51-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 总结 | 第55-57页 |
| 5.1 本文主要研究结论 | 第55-56页 |
| 5.2 本课题创新之处 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第63页 |
