摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-20页 |
1.1 CO催化氧化的研究背景 | 第10-12页 |
1.2 CO氧化的催化反应机理 | 第12-13页 |
1.2.1 Langmuir-Hinshelwood和Eley-Rideal机理 | 第12页 |
1.2.2 金属负载型催化剂催化机理 | 第12页 |
1.2.3 金属氧化物催化机理 | 第12-13页 |
1.3 CO氧化反应的催化剂 | 第13-15页 |
1.3.1 贵金属催化剂 | 第13-14页 |
1.3.2 非贵金属催化剂 | 第14-15页 |
1.4 钴基催化剂的特性及研究进展 | 第15-20页 |
1.4.1 四氧化三钴结构 | 第15-16页 |
1.4.2 钴基催化剂上的CO氧化反应机理 | 第16页 |
1.4.3 钴基催化剂的研究进展 | 第16-20页 |
第二章 实验部分 | 第20-25页 |
2.1 试剂与仪器 | 第20页 |
2.2 催化剂的制备 | 第20-21页 |
2.2.1 共沉淀法制备钴基催化剂 | 第20-21页 |
2.2.2 浸渍法制备不同ZrO_2含量的钴基催化剂 | 第21页 |
2.2.3 沉积沉淀法制备不同氧化锆含量的钴基催化剂 | 第21页 |
2.2.4 共沉淀法制备不同氧化锆含量的钴基催化剂 | 第21页 |
2.3 催化剂的表征 | 第21-23页 |
2.3.1 氮气吸附/脱附 | 第21-22页 |
2.3.2 X射线衍射(XRD) | 第22页 |
2.3.3 H_2/CO-程序升温还原(H_2-Temperature programmed reduction) | 第22页 |
2.3.4 O_2/CO-程序升温脱附(Temperature programmed desorption of O_2/CO) | 第22页 |
2.3.5 FT-IR | 第22页 |
2.3.6 紫外-可见吸收光谱 | 第22-23页 |
2.3.7 透射电子显微镜(TEM) | 第23页 |
2.3.8 X射线光电子能谱(XPS) | 第23页 |
2.4 催化剂的性能评价 | 第23-25页 |
2.4.1 活性评价的气体和仪器 | 第23页 |
2.4.2 活性评价方法 | 第23页 |
2.4.3 催化剂稳定性评价 | 第23-25页 |
第三章 浸渍法制备的Co_3O_4-ZrO_2催化剂对CO低温氧化 | 第25-31页 |
3.1 前言 | 第25页 |
3.2 实验部分 | 第25-26页 |
3.2.1 催化剂的制备 | 第25页 |
3.2.2 催化剂的表征 | 第25-26页 |
3.3 催化剂上一氧化碳催化氧化的活性评价结果 | 第26-28页 |
3.4 催化剂的表征结果 | 第28-30页 |
3.4.1 BET表征结果 | 第28页 |
3.4.2 XRD表征结果 | 第28-29页 |
3.4.3 CO-TPD | 第29-30页 |
3.5 本章总结 | 第30-31页 |
第四章 沉积沉淀法对Co_3O_4-ZrO_2系列催化剂的影响 | 第31-40页 |
4.1 前言 | 第31页 |
4.2 活性测试结果 | 第31-34页 |
4.2.1 催化剂的活性测试 | 第31-32页 |
4.2.2 催化剂的稳定性测试 | 第32-34页 |
4.3 催化剂表征结果与讨论 | 第34-39页 |
4.3.1 BET表征结果 | 第34页 |
4.3.2 XRD | 第34-35页 |
4.3.3 紫外可见吸收光谱(UV) | 第35-36页 |
4.3.4 H_2-TPR | 第36-37页 |
4.3.5 O_2-TPD | 第37-39页 |
4.4 本章小结 | 第39-40页 |
第五章 共沉淀法制备的钴基催化剂催化性能的影响 | 第40-55页 |
5.1 引言 | 第40页 |
5.2 催化剂的活性评价 | 第40-42页 |
5.2.1 催化剂的活性测试 | 第40-41页 |
5.2.2 催化剂的稳定性 | 第41-42页 |
5.3 催化剂的表征 | 第42-54页 |
5.3.1 BET | 第43页 |
5.3.2 X射线衍射图谱 | 第43-44页 |
5.3.3 UV | 第44-45页 |
5.3.4 TEM | 第45-46页 |
5.3.5 X射线光电子能谱分析(XPS) | 第46-50页 |
5.3.6 CO吸附和CO_2-TPD | 第50页 |
5.3.7 氧化还原性质 | 第50-51页 |
5.3.8 In Situ DRIFTs | 第51-54页 |
5.4 本章小结 | 第54-55页 |
第六章 全文总结 | 第55-57页 |
参考文献 | 第57-64页 |
致谢 | 第64页 |