| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 新型非易失性存储器 | 第11-12页 |
| 1.3 阻变存储器研究进展 | 第12-18页 |
| 1.3.1 阻变行为分类 | 第14-15页 |
| 1.3.2 阻变效应机理 | 第15-18页 |
| 1.4 多铁性材料 | 第18-22页 |
| 1.4.1 BiFeO_3 | 第18-20页 |
| 1.4.2 BiFeO_3的阻变现象研究 | 第20-22页 |
| 1.5 陷阱电荷现象 | 第22-23页 |
| 1.6 本文的研究意义和研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章 实验方法及原理 | 第25-33页 |
| 2.1 引言 | 第25页 |
| 2.2 薄膜制备 | 第25-26页 |
| 2.3 薄膜结构表征 | 第26-28页 |
| 2.3.1 X射线衍射 | 第26-27页 |
| 2.3.2 原子力显微镜 | 第27-28页 |
| 2.4 导电原子力显微镜和压电响应力显微镜 | 第28-30页 |
| 2.5 电致阻变和陷阱电荷现象测试方法 | 第30-32页 |
| 2.6 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 外延BiFeO3阻变效应与陷阱电荷研究 | 第33-52页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 结构表征 | 第33-35页 |
| 3.3 室温电致阻变特性研究 | 第35-41页 |
| 3.3.1 阻变与电脉冲关系研究 | 第37-40页 |
| 3.3.2 Au/BFO/SRO器件室温阻变机制分析 | 第40-41页 |
| 3.4 陷阱电荷现象研究 | 第41-42页 |
| 3.5 电致阻变效应的温度依赖性与陷阱电荷研究 | 第42-46页 |
| 3.6 石墨烯/BFO结构的阻变行为 | 第46-50页 |
| 3.7 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 多晶BiFeO_3阻变效应与陷阱电荷研究 | 第52-60页 |
| 4.1 引言 | 第52页 |
| 4.2 结构表征 | 第52-54页 |
| 4.3 室温电致阻变特性研究 | 第54-56页 |
| 4.3.1 Au/BFO/Pt器件室温阻变机制分析 | 第55-56页 |
| 4.4 陷阱电荷现象研究 | 第56-57页 |
| 4.5 电致阻变效应的温度依赖性与陷阱电荷研究 | 第57-58页 |
| 4.6 本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 主要结论 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第68-69页 |