| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 Ge/Si量子点的生长机理 | 第10-13页 |
| 1.2.1 半导体的外延生长模式 | 第10-11页 |
| 1.2.2 Ge/Si量子点的生长模式 | 第11-13页 |
| 1.3 Ge/Si量子点的优势及应用前景 | 第13页 |
| 1.4 实验室前期对Ge/Si量子点的研究工作 | 第13-15页 |
| 1.5 论文课题、研究目的和主要内容 | 第15-17页 |
| 1.6 论文创新处 | 第17-18页 |
| 第二章 实验仪器和表征方法 | 第18-22页 |
| 2.1 实验仪器简介 | 第18-20页 |
| 2.1.1 离子束溅射设备简介 | 第18页 |
| 2.1.2 离子束溅射工作原理简介 | 第18-20页 |
| 2.2 表征技术 | 第20-22页 |
| 2.2.1 原子力显微镜 | 第20页 |
| 2.2.2 拉曼光谱仪(Raman) | 第20-21页 |
| 2.2.3 傅立叶变换红外光谱(FTIR) | 第21-22页 |
| 第三章 离子束溅射Ge量子点的生长研究 | 第22-37页 |
| 3.1 引言 | 第22-23页 |
| 3.2 实验过程 | 第23页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第23-36页 |
| 3.3.1 Si缓冲层的生长温度对Ge量子点生长的影响 | 第23-27页 |
| 3.3.2 不同Ge沉积厚度对Ge量子点生长的影响 | 第27-31页 |
| 3.3.3 Ge量子点结晶性和均匀性分析 | 第31-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 停顿生长对Ge量子点的生长影响 | 第37-42页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 实验过程 | 第37-38页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第38-41页 |
| 4.3.1 不同温度停顿生长对Si缓冲层的影响 | 第38-39页 |
| 4.3.2 不同停顿次数对Ge量子点的影响 | 第39-41页 |
| 4.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章 退火工艺对Ge量子点生长的影响研究 | 第42-56页 |
| 5.1 引言 | 第42页 |
| 5.2 实验过程 | 第42-43页 |
| 5.3 实验结果及其讨论 | 第43-55页 |
| 5.3.1 Si缓冲层的原位退火时间对Ge量子点的生长影响 | 第43-46页 |
| 5.3.2 Ge层原位退火时间对Ge量子点的生长影响 | 第46-51页 |
| 5.3.3 快速热退火对Ge量子点的影响 | 第51-54页 |
| 5.3.4 Ge量子点的光学性质分析 | 第54-55页 |
| 5.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第六章 总结与展望 | 第56-59页 |
| 6.1 总结 | 第56-58页 |
| 6.2 展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-68页 |
| 附录 硕士期间发表的文章及参与项目 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
