| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 二氧化铈的性质 | 第10-11页 |
| 1.3 二氧化铈材料的应用 | 第11页 |
| 1.4 阻变存储器概述 | 第11-12页 |
| 1.5 氧空位缺陷 | 第12-13页 |
| 1.6 本论文选题背景及研究内容 | 第13-15页 |
| 2 实验方法与表征 | 第15-23页 |
| 2.1 阳极氧化法 | 第15-17页 |
| 2.1.1 实验仪器及原材料 | 第15-16页 |
| 2.1.2 PAA模板的制备过程 | 第16-17页 |
| 2.2 磁控溅射技术 | 第17-19页 |
| 2.2.1 磁控溅射原理 | 第18-19页 |
| 2.2.2 磁控溅射所需的原材料及制备条件 | 第19页 |
| 2.3 薄膜的表征方法 | 第19-23页 |
| 2.3.1 X射线衍射仪(XRD) | 第19-20页 |
| 2.3.2 冷场发射扫描电子显微镜(FE-SEM) | 第20-21页 |
| 2.3.3 光致发光光谱(PL) | 第21页 |
| 2.3.4 物理性能测试系统(PPMS) | 第21-22页 |
| 2.3.5 电流—电压(I-V)测试仪 | 第22-23页 |
| 3 有序多孔CeO_2微观结构以及磁性的研究 | 第23-32页 |
| 3.1 引言 | 第23-24页 |
| 3.2 实验 | 第24-25页 |
| 3.2.1 不同工作压强条件下制备CeO_2薄膜 | 第24-25页 |
| 3.2.2 不同溅射时间条件下制备CeO_2薄膜 | 第25页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第25-31页 |
| 3.3.1 SEM电镜测试 | 第25-26页 |
| 3.3.2 XRD测试 | 第26-27页 |
| 3.3.3 PPMS磁性测试 | 第27-28页 |
| 3.3.4 退火磁性和PL谱测试 | 第28-30页 |
| 3.3.5 CeO_2薄膜室温铁磁性的起因 | 第30-31页 |
| 3.3.6 机制解释 | 第31页 |
| 3.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 4 Ag/CeO_2/PAA/Al器件及电场对磁性的调控 | 第32-36页 |
| 4.1 引言 | 第32页 |
| 4.2 Ag/CeO_2/Al器件的制备及I-V测试 | 第32-34页 |
| 4.3 电场对CeO_2/PAA复合薄膜磁性的调控 | 第34-35页 |
| 4.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 5 总结与展望 | 第36-38页 |
| 5.1 结论 | 第36页 |
| 5.2 创新点 | 第36-37页 |
| 5.3 工作展望 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |
| 攻读学位期间取得的科研成果清单 | 第46页 |
