| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-36页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 太阳能电池的种类 | 第13-16页 |
| 1.3 CIGS薄膜太阳能电池的概述 | 第16-20页 |
| 1.3.1 CuIn_(1-x)Ga_xSe_2材料的特性 | 第17-18页 |
| 1.3.2 CIGS薄膜太阳能电池的典型结构 | 第18-20页 |
| 1.3.3 CuInGaSe_2薄膜太阳能电池的异质结特性 | 第20页 |
| 1.4 CIGS薄膜太阳能电池的发展史及研究的现状 | 第20-23页 |
| 1.5 CIGS薄膜的制备方法 | 第23-26页 |
| 1.5.1 多元共蒸发法 | 第23-24页 |
| 1.5.2 磁控溅射法 | 第24-25页 |
| 1.5.3 非真空沉积法和混合法 | 第25-26页 |
| 1.6 目前存在的问题 | 第26-27页 |
| 1.7 本论文的研究目的、路线和主要内容 | 第27-30页 |
| 1.7.1 论文的研究目的和路线 | 第27-28页 |
| 1.7.2 主要内容 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-36页 |
| 第二章 磁控溅射制备CuInGa预制层 | 第36-58页 |
| 2.1 引言 | 第36-37页 |
| 2.2 实验部分 | 第37-42页 |
| 2.2.1 仪器与试剂 | 第37页 |
| 2.2.2 玻璃基底的清洗 | 第37-38页 |
| 2.2.3 磁控溅射CuGa | 第38-39页 |
| 2.2.4 磁控溅射In | 第39-40页 |
| 2.2.5 磁控溅射CuInGa预制层 | 第40-41页 |
| 2.2.6 金属预制层的硒化及其表征 | 第41-42页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第42-53页 |
| 2.3.1 调节CuGa和In的相对溅射功率 | 第42-48页 |
| 2.3.2 Ar气压强对预制层的制备及吸收层的影响 | 第48-53页 |
| 2.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 第三章 真空硒化法制备CIGS吸收层 | 第58-72页 |
| 3.1 引言 | 第58页 |
| 3.2 实验部分 | 第58-61页 |
| 3.2.1 仪器与试剂 | 第58-59页 |
| 3.2.2 玻璃片清洗 | 第59-60页 |
| 3.2.3 磁控溅射CuInGa预制层 | 第60页 |
| 3.2.4 不同环境下对CuInGa预制层进行硒化 | 第60页 |
| 3.2.5 不同温度下对CuInGa预制层进行硒化 | 第60-61页 |
| 3.2.6 样品的测试与表征 | 第61页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第61-69页 |
| 3.3.1 不同硒化环境对CIGS吸收层形成的影响 | 第61-65页 |
| 3.3.2 不同温度对CIGS吸收层形成的影响 | 第65-69页 |
| 3.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 第四章 CIGS薄膜太阳能电池器件的构筑及其光电特性 | 第72-84页 |
| 4.1 前言 | 第72-73页 |
| 4.2 实验部分 | 第73-77页 |
| 4.2.1 仪器与试剂 | 第73-74页 |
| 4.2.2 基片处理 | 第74-75页 |
| 4.2.3 Mo电极的制备 | 第75页 |
| 4.2.4 CuInGa金属预制层的制备 | 第75页 |
| 4.2.5 金属预制层的硒化 | 第75页 |
| 4.2.6 缓冲层CdS的制备 | 第75-76页 |
| 4.2.7 窗口层的制备 | 第76页 |
| 4.2.8 蒸镀Ag电极 | 第76-77页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第77-81页 |
| 4.3.1 器件的SEM形貌 | 第77页 |
| 4.3.2 吸收层的XRD物相分析 | 第77-78页 |
| 4.3.3 吸收层的拉曼光谱分析 | 第78-79页 |
| 4.3.4 吸收层的紫外可见光吸收光谱分析 | 第79-80页 |
| 4.3.5 太阳能电池器件的光电特性测试分析 | 第80-81页 |
| 4.4 小结 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-84页 |
| 总结 | 第84-85页 |
| 硕士期间发表和已完成的论文与工作 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |
