| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-29页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 RRAM技术回顾 | 第11-12页 |
| 1.3 ZnO用于RRAM的优点 | 第12-13页 |
| 1.4 氧化物基RRAM的阻变行为分类 | 第13页 |
| 1.5 氧化物基RRAM的阻变机制 | 第13-14页 |
| 1.6 导电细丝的起源 | 第14-17页 |
| 1.7 ZnO基RRAM技术参数 | 第17-23页 |
| 1.7.1 电极对ZnO基RRAM的影响 | 第17-18页 |
| 1.7.2 沉积参数对ZnO基RRAM的影响 | 第18-20页 |
| 1.7.3 掺杂对ZnO基RRAM的影响 | 第20-21页 |
| 1.7.4 复合ZnO基RRAM | 第21-23页 |
| 1.8 选题思路和研究内容 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-29页 |
| 第2章 ZnO薄膜器件的制备技术和电学性质的测试方法 | 第29-37页 |
| 2.1 引言 | 第29页 |
| 2.2 阻变存储单元的制备 | 第29-30页 |
| 2.3 溅射技术 | 第30-31页 |
| 2.4 表征手段 | 第31-33页 |
| 2.4.1 X射线衍射(XRD) | 第31-32页 |
| 2.4.2 Keithley 2400 简介 | 第32-33页 |
| 2.4.3 Aglient 4294A简介 | 第33页 |
| 2.5 电学测试系统搭建 | 第33-34页 |
| 2.6 总结 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-37页 |
| 第3章 ZnO薄膜器件的制备和电学性质的初步测试 | 第37-49页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 Nb:SrTiO_3/ZnO外延异质结的制备 | 第37-38页 |
| 3.2.1 衬底的选择 | 第37页 |
| 3.2.2 利用磁控溅射法生长ZnO薄膜 | 第37-38页 |
| 3.3 Nb:SrTiO_3/ZnO异质结XRD表征 | 第38-39页 |
| 3.4 Nb:SrTiO_3/ZnO异质结的截面和形貌表征 | 第39-40页 |
| 3.5 Nb:SrTiO_3/ZnO异质结电学性质测试 | 第40-43页 |
| 3.5.1 Nb:SrTiO_3/ZnO异质结整流性质测试 | 第40-42页 |
| 3.5.2 Nb:SrTiO_3/ZnO异质结中的阻变现象和负微分电阻现象 | 第42-43页 |
| 3.6 双极性阻变和负微分电阻的定性解释 | 第43-45页 |
| 3.7 本章小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 第4章 时间效应对Nb:SrTiO_3/ZnO器件阻变性质的影响 | 第49-61页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 脉冲电压和脉冲时间对Nb:SrTiO_3/ZnO器件阻变性质的影响 | 第49-53页 |
| 4.3 Nb:SrTiO_3/ZnO器件的疲劳性质 | 第53-54页 |
| 4.4 温度对Nb:SrTiO_3/ZnO器件阻变性质的影响 | 第54-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 第5章 Nb:SrTiO_3/ZnO异质结存储器的多级存储效应 | 第61-69页 |
| 5.1 引言 | 第61页 |
| 5.2 不同触发机制引起的Nb:SrTiO_3/ZnO异质结多级存储 | 第61-65页 |
| 5.2.1 不同电压触发得到的多级存储现象 | 第61-63页 |
| 5.2.2 不同限制电流触发得到的多级存储现象 | 第63-64页 |
| 5.2.3 不同电脉冲触发引起的多级存储 | 第64-65页 |
| 5.3 Nb:SrTiO_3/ZnO异质结的保持性、循环性和疲劳性 | 第65-66页 |
| 5.4 Nb:SrTiO_3/ZnO异质结多级存储机制 | 第66页 |
| 5.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 总结与展望 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第73-74页 |
