| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-25页 |
| 1.1 太赫兹技术概述 | 第17-22页 |
| 1.1.1 太赫兹技术特点 | 第17-18页 |
| 1.1.2 太赫兹技术的应用 | 第18-20页 |
| 1.1.3 太赫兹辐射源 | 第20页 |
| 1.1.4 太赫兹探测技术 | 第20-22页 |
| 1.2 宽禁带半导体材料GaN简介 | 第22-24页 |
| 1.3 论文安排及主要内容 | 第24-25页 |
| 第二章 肖特基二极管基本原理及异质结多沟道结构 | 第25-43页 |
| 2.1 肖特基二极管基本原理 | 第25-30页 |
| 2.1.1 肖特基势垒的形成 | 第26-28页 |
| 2.1.2 镜象力和隧道效应的影响 | 第28-30页 |
| 2.2 肖特基二极管的电流输运机制 | 第30-36页 |
| 2.2.1 热电子发射和扩散理论 | 第30-33页 |
| 2.2.2 势垒高度随着偏压变化的影响 | 第33-34页 |
| 2.2.3 隧穿电流 | 第34-35页 |
| 2.2.4 肖特基二极管等效电路 | 第35-36页 |
| 2.3 异质结多沟道结构 | 第36-41页 |
| 2.3.1 III族氮化物异质结的物理原理 | 第36-38页 |
| 2.3.2 AlxGa1-xN/GaN异质结构的极化效应 | 第38-40页 |
| 2.3.3 异质结多沟道结构及其研究进展 | 第40-41页 |
| 2.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 第三章 氮化镓SBD的直流特性及截止频率研究 | 第43-59页 |
| 3.1 仿真软件SILVACO的简介 | 第43-44页 |
| 3.2 SBD结构设计 | 第44-46页 |
| 3.3 不同的氮化镓肖特基二极管直流特性比较 | 第46-55页 |
| 3.3.1 正向IV特性 | 第46-51页 |
| 3.3.2 反向击穿电压 | 第51-55页 |
| 3.4 截止频率 | 第55-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-59页 |
| 第四章 AlGaN/GaN异质结多沟道肖特基二极管 | 第59-75页 |
| 4.1 AlGaN/GaN异质结多沟道SBD静态特性分析 | 第59-66页 |
| 4.1.1 沟道数对SBD静态特性的影响 | 第59-60页 |
| 4.1.2 势垒层Al组分对SBD静态特性的影响 | 第60-63页 |
| 4.1.3 势垒层厚度对SBD静态特性的影响 | 第63页 |
| 4.1.4 沟道层厚度对SBD静态特性的影响 | 第63-64页 |
| 4.1.5 异质结多沟道SBD的反向击穿电压 | 第64-66页 |
| 4.2 截止频率 | 第66页 |
| 4.3 AlGaN/GaN异质结多沟道SBD优化 | 第66-69页 |
| 4.3.1 肖特基势垒的优化 | 第66-67页 |
| 4.3.2 极化掺杂 | 第67-68页 |
| 4.3.3 关于反向击穿电压的优化 | 第68-69页 |
| 4.4 AlGaN/GaN异质结多沟道SBD制造工艺流程 | 第69-73页 |
| 4.5 本章小结 | 第73-75页 |
| 第五章 总结与展望 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 作者简介 | 第83-84页 |
