| 目录 | 第3-5页 |
| 图表目录 | 第5-7页 |
| 符号表 | 第7-9页 |
| 中文摘要 | 第9-10页 |
| ABSTRACT | 第10页 |
| 第一章 引言 | 第11-28页 |
| 第一节 量子点的主要性质、制备方法及应用 | 第11-20页 |
| 1.量子点的定义 | 第11-12页 |
| 2.量子点的性质 | 第12-13页 |
| 3.量子点的分类及其制备方法 | 第13-17页 |
| 4.量子点的应用 | 第17-20页 |
| 第二节 量子点存储器的结构及工作原理 | 第20-26页 |
| 1.基于pHEMT结构的量子点存储器 | 第20-23页 |
| 2.量子点存储器的工作原理 | 第23-26页 |
| 第三节 量子点存储器的选题动机 | 第26-28页 |
| 第二章 InAS／GaAs量子点材料的制备设备及方法 | 第28-45页 |
| 第一节 实验方法与设备 | 第28-31页 |
| 1.分子束外延(MBE)系统 | 第28-31页 |
| 2.反射高能电子衍射仪(RHEED) | 第31页 |
| 第二节 InAs／GaAs量子点存储器的结构与加工 | 第31-41页 |
| 1.InAs／GaAs量子点存储器的样品结构 | 第31-35页 |
| 2.InAs／GaAs量子点存储器的加工 | 第35-41页 |
| 第三节 测试内容与方法 | 第41-45页 |
| 1.AFM测试 | 第41-42页 |
| 2.FET与I-V测试 | 第42-43页 |
| 3.C-V测试 | 第43-45页 |
| 第三章 量子点存储器的实验结果与讨论 | 第45-56页 |
| 第一节 FET与I-V特性测试 | 第45-49页 |
| 第二节 延滞回线测试 | 第49-51页 |
| 第三节 沟道电导实时测试 | 第51-54页 |
| 第四节 偏压降温C-V测试 | 第54-56页 |
| 第四章 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 已发表论文目录 | 第64-65页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第65页 |