| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 印染废水处理现状 | 第12页 |
| 1.2 半导体光催化技术的发展历程 | 第12-14页 |
| 1.3 ZnO 纳米棒的制备方法 | 第14-20页 |
| 1.3.1 化学气相沉积法 | 第15-16页 |
| 1.3.2 模板法 | 第16-17页 |
| 1.3.3 水热法 | 第17-18页 |
| 1.3.4 溶液法 | 第18-20页 |
| 1.4 半导体光催化技术现存的问题 | 第20-22页 |
| 1.4.1 半导体光催化剂的催化活性 | 第21页 |
| 1.4.2 半导体光催化剂的固化技术 | 第21页 |
| 1.4.3 半导体光催化的光源 | 第21-22页 |
| 1.5 课题的研究内容及意义 | 第22-24页 |
| 1.5.1 半导体光催化反应目标物 | 第22页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第22-23页 |
| 1.5.3 研究意义 | 第23-24页 |
| 第2章 实验材料与方法 | 第24-31页 |
| 2.1 实验仪器与材料 | 第24-25页 |
| 2.1.1 实验药品 | 第24页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第24-25页 |
| 2.2 ZnO 纳米棒的制备方法 | 第25-26页 |
| 2.2.1 基底的预处理 | 第25页 |
| 2.2.2 溶液法制备 ZnO 纳米棒 | 第25-26页 |
| 2.3 ZnO 纳米棒的表征 | 第26-28页 |
| 2.3.1 X 射线衍射（XRD）分析 | 第26-27页 |
| 2.3.2 扫描电镜(SEM)分析 | 第27页 |
| 2.3.3 X 射线能谱（EDS）分析 | 第27页 |
| 2.3.4 紫外－可见吸收光谱（UV-vis）分析 | 第27-28页 |
| 2.4 光催化实验 | 第28-31页 |
| 2.4.1 实验装置 | 第28页 |
| 2.4.2 实验方法 | 第28-31页 |
| 第3章 ZnO 纳米棒的表征分析 | 第31-40页 |
| 3.1 X 射线衍射分析 | 第31-34页 |
| 3.1.1 生长液浓度对 ZnO 纳米棒 X 射线衍射图的影响 | 第31-32页 |
| 3.1.2 生长温度对 ZnO 纳米棒 X 射线衍射图的影响 | 第32-33页 |
| 3.1.3 生长时间对 ZnO 纳米棒 X 射线衍射图的影响 | 第33-34页 |
| 3.2 扫描电子显微镜分析 | 第34-37页 |
| 3.2.1 生长液浓度对 ZnO 纳米棒形貌的影响 | 第34-35页 |
| 3.2.2 生长温度对 ZnO 纳米棒形貌的影响 | 第35-36页 |
| 3.2.3 生长时间对 ZnO 纳米棒形貌的影响 | 第36-37页 |
| 3.3 X 射线能谱分析 | 第37-38页 |
| 3.4 紫外-可见吸收光谱分析 | 第38-40页 |
| 第4章 ZnO 纳米棒的生长机理分析 | 第40-44页 |
| 4.1 X 射线衍射分析 | 第40-41页 |
| 4.2 扫描电子显微镜分析 | 第41-42页 |
| 4.3 光催化剂的催化性能分析 | 第42-43页 |
| 4.4 ZnO 纳米棒的生长机理分析 | 第43-44页 |
| 第5章 ZnO 纳米棒的光催化性能研究 | 第44-51页 |
| 5.1 催化剂的催化性能 | 第44-45页 |
| 5.2 生长液浓度对光催化性能的影响 | 第45-46页 |
| 5.3 生长温度对催化性能的影响 | 第46-47页 |
| 5.4 生长时间对催化性能的影响 | 第47-48页 |
| 5.5 初始浓度对光催化性能的影响 | 第48-49页 |
| 5.6 光催化剂的重复利用性 | 第49-51页 |
| 第6章 结论与建议 | 第51-53页 |
| 6.1 结论 | 第51-52页 |
| 6.2 建议 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
