SiC辐射探测器结构设计及性能研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第8页 |
| 1.2 SiC材料简介 | 第8-12页 |
| 1.2.1 SiC晶体结构 | 第9-10页 |
| 1.2.2 SiC电学特性 | 第10-11页 |
| 1.2.3 SiC材料生长 | 第11-12页 |
| 1.3 国内外研究进展 | 第12-15页 |
| 1.4 本论文选题依据和主要研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 电离辐射及辐射探测器原理 | 第16-25页 |
| 2.1 放射性种类 | 第16-18页 |
| 2.1.1 α衰变 | 第16页 |
| 2.1.2 β衰变 | 第16-17页 |
| 2.1.3 γ跃迁 | 第17-18页 |
| 2.2 射线与物质相互作用 | 第18-20页 |
| 2.2.1 α粒子与物质相互作用 | 第18-19页 |
| 2.2.2 β射线与物质相互作用 | 第19页 |
| 2.2.3 γ和X射线与物质相互作用 | 第19-20页 |
| 2.3 放射性来源 | 第20-22页 |
| 2.3.1 天然辐射源 | 第20-21页 |
| 2.3.2 人工辐射源 | 第21-22页 |
| 2.4 辐射探测器及工作原理 | 第22-24页 |
| 2.4.1 气体探测器 | 第22-23页 |
| 2.4.2 闪烁体探测器 | 第23页 |
| 2.4.3 半导体探测器 | 第23-24页 |
| 2.4.4 空间粒子探测器选择 | 第24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 SiC用于辐射探测的仿真分析 | 第25-46页 |
| 3.1 Geant4简介 | 第25-26页 |
| 3.2 SiC与Si对不同粒子探测效率仿真 | 第26-32页 |
| 3.2.1 仿真分析 | 第27-28页 |
| 3.2.2 仿真结果与分析 | 第28-32页 |
| 3.2.3 小结 | 第32页 |
| 3.3 SiC用于空间粒子探测的仿真分析 | 第32-45页 |
| 3.3.1 引言 | 第32-35页 |
| 3.3.2 粒子判别方法 | 第35-36页 |
| 3.3.3 探测器响应 | 第36-40页 |
| 3.3.4 探测器系统结构 | 第40-41页 |
| 3.3.5 仿真结果与分析 | 第41-45页 |
| 3.3.6 小结 | 第45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 SiC探测器制备及性能测试 | 第46-52页 |
| 4.1 SiC探测器制作 | 第46-47页 |
| 4.1.1 清洗 | 第46页 |
| 4.1.2 欧姆接触与肖特基接触制备 | 第46-47页 |
| 4.1.3 封装 | 第47页 |
| 4.2 I-V测试 | 第47-49页 |
| 4.3 α粒子能谱测试 | 第49-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 硕士期间发表文章 | 第57页 |
