| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-13页 |
| 1.1 课题来源 | 第10页 |
| 1.2 课题背景 | 第10-11页 |
| 1.3 课题的主要研究内容 | 第11-13页 |
| 第二章 CMOS 集成电路的主要工艺 | 第13-31页 |
| 2.1 CMOS 集成电路的发展 | 第13-14页 |
| 2.2 集成电路中 MOS 器件的工艺与结构特点 | 第14-30页 |
| 2.2.1 沟道掺杂工程 | 第15-16页 |
| 2.2.2 栅工程 | 第16-18页 |
| 2.2.3 源漏工程 | 第18-20页 |
| 2.2.4 界面工程 | 第20-22页 |
| 2.2.5 工艺波动 | 第22-30页 |
| 2.3 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 芯片内器件饱和电流均匀性模型分析 | 第31-41页 |
| 3.1 实验内容 | 第31-34页 |
| 3.1.1 探究芯片内 MOS 器件性能产生波动的原因 | 第31-34页 |
| 3.2 影响因素与器件性能的相关性 | 第34-39页 |
| 3.2.1 透光率与器件性能的相关性 | 第34-36页 |
| 3.2.2 模块密度与器件性能的相关性 | 第36-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 工艺流片实验分析 | 第41-61页 |
| 4.1 实验内容 | 第41-42页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第42-58页 |
| 4.2.1 降低晶圆片转动速率 | 第43-46页 |
| 4.2.2 减小温度的升温速率 | 第46-49页 |
| 4.2.3 改善氦气流动速率 | 第49-51页 |
| 4.2.4 改善氮气流动速率 | 第51-53页 |
| 4.2.5 改变 RTA 其他参数的影响 | 第53-56页 |
| 4.2.6 同时改变升温速率和初始温度的影响 | 第56-58页 |
| 4.3 产品良品率的测试 | 第58-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 结论与展望 | 第61-63页 |
| 5.1 结论 | 第61-62页 |
| 5.2 展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 作者在攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |