| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| ·自旋电子学简介 | 第10-12页 |
| ·稀磁半导体的理论基础 | 第12-16页 |
| ·双交换相互作用模型 | 第13-14页 |
| ·p-d 交换相互作用 | 第14-15页 |
| ·超交换相互作用 | 第15-16页 |
| ·稀磁半导体的研究进展 | 第16-17页 |
| ·选题依据及主要研究工作 | 第17-19页 |
| 第二章 薄膜的制备与表征 | 第19-23页 |
| ·薄膜的制备 | 第19-20页 |
| ·离子束溅射 | 第19页 |
| ·离子注入 | 第19-20页 |
| ·样品的表征方法 | 第20-23页 |
| ·X 射线衍射(XRD) | 第20-21页 |
| ·透射电镜(TEM) | 第21页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第21页 |
| ·物理性能测量仪(PPMS) | 第21页 |
| ·I-V 曲线测量系统 | 第21-22页 |
| ·X 射线吸收精细结构谱(XAFS) | 第22-23页 |
| 第三章 N 的引入对 Fe 注入 Ge 薄膜样品的影响 | 第23-30页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·样品的制备 | 第23页 |
| ·分析与表征 | 第23-28页 |
| ·结论 | 第28-30页 |
| 第四章 载流子类型对Cu 注入Si 稀磁半导体薄膜磁性的影响 | 第30-36页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·样品的制备 | 第30页 |
| ·样品的结构与性能 | 第30-34页 |
| ·结论 | 第34-36页 |
| 第五章 Cr掺杂Ge(Si) DMS 薄膜的微观结构研究 | 第36-41页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·样品的制备 | 第36页 |
| ·样品的分析与表征 | 第36-39页 |
| ·理论计算 | 第39-40页 |
| ·结论 | 第40-41页 |
| 结论 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-48页 |
| 致谢 | 第48页 |
