| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·非易失性存储器的种类与特点 | 第11-12页 |
| ·电阻式随机存储器（RRAM）简介 | 第12-14页 |
| ·RRAM 电阻转变机制研究进展 | 第14-19页 |
| ·导电细丝路径的形成于断裂的机制 | 第15-16页 |
| ·电荷注入引起金属—绝缘体转变的机制 | 第16-17页 |
| ·电荷注入导致肖特基势垒改变机制 | 第17-18页 |
| ·电子捕获诱发的电阻转变机制 | 第18页 |
| ·场致氧离子电化学迁移机制 | 第18-19页 |
| ·本文研究意义和内容 | 第19-20页 |
| 2 薄膜样品制备方法与表征 | 第20-26页 |
| ·脉冲激光沉积（PLD）技术的优点 | 第20页 |
| ·PLD 制备Pr_(0.7)Ca_(0.3)Mn0_3（PCMO）薄膜 | 第20-23页 |
| ·靶材的烧制 | 第20-21页 |
| ·薄膜沉积 | 第21-23页 |
| ·PCMO 薄膜相结构及电阻转变性能表征 | 第23-26页 |
| ·相结构分析 | 第23-24页 |
| ·PCMO 薄膜电阻转变性能表征 | 第24-26页 |
| 3 不同方法制作Ag 顶电极的Ag/PCMO 异质结的阻变特性 | 第26-33页 |
| ·Ag/PCMO/Pt 异质结I—V 特性曲线的比较与载流子输运机制 | 第26-30页 |
| ·不同方法制作电极得到的 Ag/PCMO/Pt 异质结的阻态保持性以及疲劳性的比较 | 第30-31页 |
| ·小结 | 第31-33页 |
| 4 Ag-Ti 合金电极的M/PCMO/Pt 异质结阻变的研究 | 第33-45页 |
| ·Ag-Ti(alloy)/PCMO/Pt 薄膜异质结的制备 | 第34页 |
| ·Ag-Ti(alloy)/PCMO/Pt 异质结的I-V 特性以及阻变机制的研究 | 第34-41页 |
| ·不同金属顶电极的I-V 特性曲线比较 | 第34-36页 |
| ·Ag-Ti(alloy)/PCMO/Pt 异质结的阻变机理的研究 | 第36-41页 |
| ·不同金属顶电极样品阻变的疲劳特性以及保持特性的分析 | 第41-44页 |
| ·M/PCMO/Pt 异质结阻变的疲劳特性 | 第41-43页 |
| ·M/PCMO/Pt 异质结阻变的保持特性 | 第43-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 5 La_(0.67)Sr_(0.33)Mn0_3（LSMO）功能插层对阻变的影响 | 第45-50页 |
| ·有无插层的样品I-V 特征曲线 | 第45-47页 |
| ·Ti/PCMO/LSMO/Pt 与Ti/PCMO/Pt 异质结电致电阻疲劳特性的比较 | 第47-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 6 结论与展望 | 第50-52页 |
| ·论文总结 | 第50页 |
| ·论文创新点 | 第50-51页 |
| ·展望与进一步研究计划 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 攻读学位期间取得的科研成果清单 | 第59页 |
