| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 第一章 引言 | 第11-13页 |
| 第二章 离子阱简介 | 第13-22页 |
| 2.1 线形离子阱的电势、稳定区和赝势 | 第13-15页 |
| 2.2 微运动效应 | 第15-16页 |
| 2.3 离子晶体 | 第16-18页 |
| 2.3.1 离子的平衡位置 | 第16-17页 |
| 2.3.2 离子的振动模式 | 第17-18页 |
| 2.4 钙离子能级简介 | 第18-19页 |
| 2.5 激光冷却 | 第19-22页 |
| 2.5.1 多普勒冷却 | 第19-20页 |
| 2.5.2 边带冷却 | 第20-22页 |
| 第三章 宏观离子阱中的离子冷却与结构相变 | 第22-31页 |
| 3.1 实验系统简介 | 第22-25页 |
| 3.1.1 离子阱系统 | 第22页 |
| 3.1.2 真空系统 | 第22-24页 |
| 3.1.3 成像系统 | 第24页 |
| 3.1.4 激光系统 | 第24-25页 |
| 3.2 离子囚禁与离子晶体 | 第25-28页 |
| 3.2.1 微运动补偿 | 第26-27页 |
| 3.2.2 多普勒冷却下离子温度的测量 | 第27-28页 |
| 3.3 离子晶体结构相变 | 第28-31页 |
| 第四章 高细度光腔相干冷却 | 第31-40页 |
| 4.1 相干冷却介绍 | 第31-32页 |
| 4.2 基于电磁感应透明冷却方案与光腔的新型冷却方案 | 第32-40页 |
| 4.2.1 模型和基本方程 | 第32-35页 |
| 4.2.2 结果分析 | 第35-37页 |
| 4.2.3 冷却极限 | 第37-38页 |
| 4.2.4 冷却和加热过程的物理解释 | 第38页 |
| 4.2.5 数值模拟与分析 | 第38-40页 |
| 第五章 芯片阱系统设计与搭建 | 第40-48页 |
| 5.1 芯片阱理论与设计 | 第40-42页 |
| 5.1.1 阱深 | 第40-41页 |
| 5.1.2 芯片阱的设计与加工制作 | 第41-42页 |
| 5.2 芯片离子阱系统搭建 | 第42-48页 |
| 5.2.1 真空系统部分 | 第42-44页 |
| 5.2.2 成像系统部分 | 第44-45页 |
| 5.2.3 光路部分 | 第45-46页 |
| 5.2.4 阶段性成果 | 第46-48页 |
| 第六章 展望 | 第48-49页 |
| 6.1 宏观离子阱实验方面 | 第48页 |
| 6.2 芯片阱实验 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第55-56页 |
| 附录A 表面芯片离子阱设计版图及电极连接 | 第56-58页 |
| A.1 芯片阱设计 | 第56页 |
| A.2 芯片与馈通电极连接 | 第56-58页 |