| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 引言 | 第7-18页 |
| 1.1 阻变存储器简介 | 第7-8页 |
| 1.2 阻变材料简介 | 第8-10页 |
| 1.3 新型金属氮化物阻变材料属性及研究现状 | 第10-17页 |
| 1.3.1 氮化铜材料属性及研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3.2 氮化铝材料属性及研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3.3 氮化硅材料属性及研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3.4 氮化镍材料属性及研究现状 | 第14-17页 |
| 1.4 本论文的目的 | 第17-18页 |
| 第二章 薄膜材料的制备方法和表征方法 | 第18-27页 |
| 2.1 薄膜材料的制备方法 | 第18-25页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积(PLD)简介 | 第18-20页 |
| 2.1.2 电子回旋共振等离子体辅助脉冲激光沉积(ECR-PLD)简介 | 第20-22页 |
| 2.1.3 等离子浸没注入技术(PⅢ)简介 | 第22-25页 |
| 2.2 薄膜材料表征方法 | 第25-27页 |
| 第三章 PⅢ制备Ni-N薄膜及薄膜性能表征 | 第27-40页 |
| 3.1 Ni薄膜的制备与表征 | 第27-32页 |
| 3.2 Ni-N薄膜的制备 | 第32-34页 |
| 3.3 Ni-N薄膜的结构和电学性能 | 第34-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 PLD制备Ni-N薄膜及薄膜性能表征 | 第40-44页 |
| 4.1 薄膜生长方法 | 第40-41页 |
| 4.2 薄膜样品的厚度、结晶性能和电学性能测试 | 第41-43页 |
| 4.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 ECR-PLD制备Ni-N薄膜及薄膜性能表征 | 第44-48页 |
| 5.1 Ni-N薄膜样品的制备 | 第44页 |
| 5.2 Ni-N薄膜的结构、组分和电学性能测试 | 第44-47页 |
| 5.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 第六章 能带计算与讨论 | 第48-51页 |
| 6.1 计算方法 | 第48页 |
| 6.2 计算结果 | 第48-50页 |
| 6.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第七章 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |