硅基石墨烯非线性器件中的光信号处理研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 硅基光子学的发展 | 第12-14页 |
| 1.2 四波混频原理及应用 | 第14-17页 |
| 1.2.1 四波混频的起源 | 第14-15页 |
| 1.2.2 基于四波混频的应用 | 第15-17页 |
| 1.3 石墨烯简介 | 第17-22页 |
| 1.3.1 石墨烯的发现及其应用 | 第17-20页 |
| 1.3.2 石墨烯的三阶非线性效应 | 第20-22页 |
| 1.4 本文的章节安排 | 第22-24页 |
| 第二章 石墨烯硅基非线性器件的仿真 | 第24-38页 |
| 2.1 研究背景 | 第24-25页 |
| 2.2 四波混频理论分析 | 第25-28页 |
| 2.3 基于硅基的石墨烯高非线性器件仿真 | 第28-36页 |
| 2.3.1 基于硅基直波导的石墨烯器件 | 第28-32页 |
| 2.3.2 基于金属电介质混合波导的石墨烯器件 | 第32-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 第三章 石墨烯硅基器件的制备和表征 | 第38-52页 |
| 3.1 研究背景 | 第38-40页 |
| 3.2 基于石墨烯的硅基器件的仿真和制备 | 第40-47页 |
| 3.2.1 基于石墨烯的硅基器件的仿真 | 第40-41页 |
| 3.2.2 石墨烯的制备方法 | 第41-42页 |
| 3.2.3 硅片的制备 | 第42-44页 |
| 3.2.4 石墨烯硅基样品的制备 | 第44-47页 |
| 3.3 石墨烯硅基器件的表征 | 第47-49页 |
| 3.4 石墨烯硅基器件的插入损耗 | 第49-51页 |
| 3.4.1 石墨烯引入的器件插损 | 第49-50页 |
| 3.4.2 石墨烯对微环Q值的影响 | 第50-51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 基于石墨烯硅基器件的四波混频 | 第52-61页 |
| 4.1 背景介绍 | 第52-53页 |
| 4.2 基于硅基波导的四波混频实验 | 第53-57页 |
| 4.2.1 实验装置 | 第54-55页 |
| 4.2.2 四波混频测试 | 第55-57页 |
| 4.3 基于石墨烯硅基波导的四波混频实验 | 第57-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 基于自耦合微环的模式分裂现象 | 第61-66页 |
| 5.1 研究背景 | 第61页 |
| 5.2 器件的结构和工作原理 | 第61-64页 |
| 5.3 器件制备与实验结果 | 第64-65页 |
| 5.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 结束语 | 第66-68页 |
| 6.1 主要工作与创新点 | 第66-67页 |
| 6.2 后续研究工作 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 附录 缩略词 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第74-76页 |
